[发明专利]半导体装置

说明书

本实施方式提供一种半导体装置，具备：绝缘基板；位于所述绝缘基板的上方的硅制的第一半导体层；位于比所述第一半导体层靠上方的位置的金属氧化物制的第二半导体层；位于所述第一半导体层与所述第二半导体层之间的硅氮化物制的第一绝缘膜；以及位于所述第一绝缘膜与所述第二半导体层之间、且与所述第一绝缘膜相比氢的扩散性更低的阻挡层。

与相关申请的关联

本申请基于2016年1月15日在日本提出申请的No.2016-006123号主张优先权，在此援引其全部内容。

技术领域

本发明的实施方式涉及一种半导体装置。

背景技术

薄膜晶体管根据使用于半导体层的材料的不同而显示出各种特性。例如，在将低温多晶硅半导体使用于半导体层的情况下，能够得到可靠性良好的薄膜晶体管。另外，在将氧化物半导体使用于半导体层的情况下，能够得到截止电流小的薄膜晶体管。在将具有多晶硅半导体层的薄膜晶体管与具有氧化物半导体层的薄膜晶体管制作在同一基板上的情况下，由于从多晶硅半导体层向氧化物半导体层的氢扩散，存在氧化物半导体层低电阻化而无法得到所希望的特性的隐患。

发明内容

本实施方式提供一种半导体装置，具备：绝缘基板；硅制的第一半导体层，位于所述绝缘基板的上方；金属氧化物制的第二半导体层，位于比所述第一半导体层靠上方的位置；硅氮化物制的第一绝缘膜，位于所述第一半导体层与所述第二半导体层之间；以及阻挡层，位于所述第一绝缘膜与所述第二半导体层之间，与所述第一绝缘膜相比氢的扩散性更低。

根据本实施方式，能够提供一种可抑制可靠性的降低的半导体装置。

附图说明

图1是示出本实施方式所涉及的半导体装置的结构的剖面图。

图2是示出阻挡层被图案化了的变形例的结构的剖面图。

图3是示出阻挡层的位置不同的变形例的结构的剖面图。

图4是示出阻挡层被图案化了的变形例的结构的剖面图。

图5是示出薄膜晶体管TR2采用顶栅构造的变形例的结构的剖面图。

图6是示出阻挡层被图案化了的图5的变形例的结构的剖面图。

图7是示出阻挡层的位置不同的图5的变形例的结构的剖面图。

图8是示出阻挡层被图案化了的图5的变形例的结构的剖面图。

图9是示出具备本实施方式所涉及的半导体装置的显示装置的结构的图。

具体实施方式

以下，参照附图说明本实施方式。需要说明的是，本发明的公开内容仅是一个例子，本领域技术人员针对保留了本发明的主旨的适当变更而容易想到的方案当然也包含于本发明的范围。另外，附图用于使说明更清楚，与实际的方式相比，存在示意性地表示各部分的宽度、厚度、形状等的情况，但也仅仅是一个例子，不用于限定本发明的解释。另外，在本说明书与各附图中，对发挥与在先的附图相同或者类似的功能的结构要素标注相同的附图标记，适当省略重复的详细说明。

需要说明的是，在本实施方式的说明中，上(或者上方)相当于方向Z的箭头朝向，下(或者下方)相当于与方向Z的箭头相反的朝向。

图1是示出本实施方式所涉及的半导体装置的结构的剖面图。图示的半导体装置1是具备多个薄膜晶体管(TFT；Thin Film Transistor)TR1及TR2的TFT基板。