[发明专利]一种氮化镓基发光二极管的外延片及其制作方法有效
| 申请号： | 201710021779.9 | 申请日： | 2017-01-12 |
| 公开（公告）号： | CN106876530B | 公开（公告）日： | 2019-03-08 |
| 发明（设计）人： | 王群;郭炳磊;董彬忠;李鹏;王江波 | 申请（专利权）人： | 华灿光电（浙江）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/06;H01L33/32 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人： | 徐立 |
| 地址： | 322000 浙江省金华市义*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种氮化镓基发光二极管的外延片及其制作方法，属于半导体技术领域。所述外延片包括蓝宝石衬底、以及依次层叠在所述蓝宝石衬底上的GaN缓冲层、未掺杂GaN层、N型GaN层、多量子阱层、P型电子阻挡层、P型GaN层，所述外延片还包括层叠在所述N型GaN层和所述多量子阱层之间的电子改善层，所述电子改善层由AlGaN层和石墨烯薄膜层交替层叠而成。本发明通过AlGaN层调控电子注入多量子阱层的数量，石墨烯薄膜层提高载流子的平面铺展能力，对电子迅速进行横向铺展，调整电子在多量子阱层内的分布，改善电子注入多量子阱层的均匀性，减少电子溢流，增大多量子阱层的发光面积，提高发光二极管的发光效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 氮化 发光二极管 外延 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种氮化镓基发光二极管的外延片，所述外延片包括蓝宝石衬底、以及依次层叠在所述蓝宝石衬底上的GaN缓冲层、未掺杂GaN层、N型GaN层、多量子阱层、P型电子阻挡层、P型GaN层，其特征在于，所述外延片还包括层叠在所述N型GaN层和所述多量子阱层之间的电子改善层，所述电子改善层由AlGaN层和石墨烯薄膜层交替层叠而成；所述电子改善层的厚度为10～100nm。
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