[发明专利]一种P型碳化硅欧姆接触的制作方法有效

申请号：	201710020991.3	申请日：	2017-01-11
公开（公告）号：	CN106683994B	公开（公告）日：	2020-01-10
发明（设计）人：	许龙来;钟志亲;余鹏;王文昊;张国俊;戴丽萍;王姝娅;王志明;宋文平;夏万顺	申请（专利权）人：	电子科技大学
主分类号：	H01L21/28	分类号：	H01L21/28;H01L29/45
代理公司：	51230 成都弘毅天承知识产权代理有限公司	代理人：	杨保刚
地址：	611731 四川省成***	国省代码：	四川;51
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摘要：	本发明涉及微电子技术领域，一种P型碳化硅欧姆接触的制作方法，包括以下步骤：(1)使用标准RCA清洗碳化硅片，并用氮气吹干；(2)采用干法刻蚀在碳化硅外延层表面进行刻蚀；(3)在刻蚀后的碳化硅片上依次淀积金属Ti、Ge、Al、Pt；(4)将碳化硅进行两步快速退火。本发明使用的Pt金属有抗氧化和方便金属键合的作用，Ge金属可以降低退火温度，采用两步快速热退火可以得到较平滑的欧姆接触，有效的降低了比接触电阻，消除铝基接触的不利因素。
搜索关键词：	一种碳化硅欧姆接触制作方法
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【主权项】：

1.一种P型碳化硅欧姆接触的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括以下步骤：/n步骤(1)使用标准RCA清洗碳化硅片；/n步骤(2)将清洗后的碳化硅片用干法刻蚀的方法进行刻蚀；/n步骤(3)在刻蚀后的碳化硅片上依次淀积金属Ti、Ge、Al、Pt；/n步骤(4)将淀积后的碳化硅进行两步快速退火；/n所述步骤(4)中的两步快速退火包括：第一步，将刻蚀完成的碳化硅置于氩气中以50-70℃/s的速度从常温升至400-500℃，并维持50-70s，再以相同速度继续上升至700-900℃，并维持100-150s；第二步，将升温后的碳化硅以平滑的温度降到常温。/n

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H 电学

H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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