[发明专利]一种有机无机复合钙钛矿发光二极管器件及其制备方法

摘要

本发明公开一种有机无机复合钙钛矿发光二极管器件及其制备方法，本发明基于有机无机复合钙钛矿材料的平面异质结发光二极管，具体结构依次为基片、透明阳极、超薄绝缘层1、有机无机钙钛矿发光层、超薄绝缘层2、电子传输层和阴极。相比于无超薄绝缘层1与超薄绝缘层2的平面异质结钙钛矿发光二极管器件，本发明涉及的发光二极管具有高的电流效率与功率效率，提高20倍以上。本发明公开的二极管结构是一种针对有机无机复合钙钛矿材料的理想器件结构。

主权项

1.一种有机无机复合钙钛矿发光二极管器件，其特征在于，由下至上依次为基片、透明阳极、第一超薄绝缘层、有机无机钙钛矿发光层、第二超薄绝缘层、电子传输层和阴极；所述第一超薄绝缘层和第二超薄绝缘层选择无机或有机化合物；所述有机无机钙钛矿发光层为甲胺铅卤或甲脒铅卤；所述阴极为金属或氟化物与金属的复合电极；所述第一超薄绝缘层和第二超薄绝缘层选择为氟化锂、氟化钾、氟化镁、氯化钠、氯化镁、氯化钾可蒸镀材料以及二氧化硅、氧化铝、聚四氟乙烯可磁控溅射材料；所述电子传输层材料为4,7‑二苯基‑1,10‑菲啰啉或者1,3,5‑三(1‑苯基‑1H‑苯并咪唑‑2‑基)苯；所述甲胺铅卤为CH3NH3PbI3、CH3NH3PbBr3、CH3NH3PbCl3、CH3NH3PbBr3‑xIx、CH3NH3PbBr3‑xClx或者CH3NH3PbCl3‑xIx；所述甲脒铅卤为HC(NH2)2PbBr3、HC(NH2)2PbCl3、HC(NH2)2PbI3、HC(NH2)2PbBr3‑XIx、HC(NH2)2PbCl3‑XI或者HC(NH2)2PbBr3‑XClx。