[发明专利]具有高抗短路能力的IGBT器件在审
| 申请号： | 201710007163.6 | 申请日： | 2017-01-05 |
| 公开（公告）号： | CN106783988A | 公开（公告）日： | 2017-05-31 |
| 发明（设计）人： | 程炜涛;姚阳;王海军;叶甜春 | 申请（专利权）人： | 江苏中科君芯科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/423 |
| 代理公司： | 无锡市大为专利商标事务所(普通合伙)32104 | 代理人： | 曹祖良,涂三民 |
| 地址： | 214135 江苏省无锡市新吴区*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种具有高抗短路能力的IGBT器件，在集电极上设有FS层，在FS层上设有基区，在基区上设有P阱，在P阱上设有金属层，在金属层内设有左右两个第一绝缘氧化层，在左右两个第一绝缘氧化层之间的金属层内设有第二绝缘氧化层，在第一绝缘氧化层的下端部连接有第一栅极，在第二绝缘氧化层的下端部连接有第二栅极，第一栅极与第二栅极的下端部均位于基区内，在第一栅极的上端部的左右两侧以及在第二栅极的上端部的左右两侧均设有发射极，位于第二栅极与第一栅极之间的两个发射极之间以及位于第一栅极外侧的发射极上连接有P+区域。本发明进而降低器件发生短路时对空穴载流子的收集能力，从而实现降低短路电流的目的，可以在极小改变器件饱和压降的前提下，明显提高器件抗短路能力。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 短路 能力 igbt 器件 | ||
【主权项】：
一种具有高抗短路能力的IGBT器件，包括P阱（1）、第一栅极（2）、发射极（3）、第一绝缘氧化层（4）、P+区域（5）、金属层（6）、FS层（7）、集电极（8）、第二栅极（9）、基区（10）与第二绝缘氧化层（11），其特征是：在集电极（8）上设有FS层（7），在FS层（7）上设有基区（10），在基区（10）上设有P阱（1），在P阱（1）上设有金属层（6），在金属层（6）内设有左右两个第一绝缘氧化层（4），在左右两个第一绝缘氧化层（4）之间的金属层（6）内设有第二绝缘氧化层（11），在第一绝缘氧化层（4）的下端部连接有第一栅极（2），在第二绝缘氧化层（11）的下端部连接有第二栅极（9），第一栅极（2）与第二栅极（9）的下端部均位于基区（10）内，在第一栅极（2）的上端部的左右两侧以及在第二栅极（9）的上端部的左右两侧均设有发射极（3），位于第二栅极（9）与第一栅极（2）之间的两个发射极（3）之间以及位于第一栅极（2）外侧的发射极（3）上连接有P+区域（5）。
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