[发明专利]具有高抗短路能力的IGBT器件在审
| 申请号： | 201710007163.6 | 申请日： | 2017-01-05 |
| 公开（公告）号： | CN106783988A | 公开（公告）日： | 2017-05-31 |
| 发明（设计）人： | 程炜涛;姚阳;王海军;叶甜春 | 申请（专利权）人： | 江苏中科君芯科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/423 |
| 代理公司： | 无锡市大为专利商标事务所(普通合伙)32104 | 代理人： | 曹祖良,涂三民 |
| 地址： | 214135 江苏省无锡市新吴区*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 具有 短路 能力 igbt 器件 | ||
【权利要求书】：
1.一种具有高抗短路能力的IGBT器件，包括P阱（1）、第一栅极（2）、发射极（3）、第一绝缘氧化层（4）、P+区域（5）、金属层（6）、FS层（7）、集电极（8）、第二栅极（9）、基区（10）与第二绝缘氧化层（11），其特征是：在集电极（8）上设有FS层（7），在FS层（7）上设有基区（10），在基区（10）上设有P阱（1），在P阱（1）上设有金属层（6），在金属层（6）内设有左右两个第一绝缘氧化层（4），在左右两个第一绝缘氧化层（4）之间的金属层（6）内设有第二绝缘氧化层（11），在第一绝缘氧化层（4）的下端部连接有第一栅极（2），在第二绝缘氧化层（11）的下端部连接有第二栅极（9），第一栅极（2）与第二栅极（9）的下端部均位于基区（10）内，在第一栅极（2）的上端部的左右两侧以及在第二栅极（9）的上端部的左右两侧均设有发射极（3），位于第二栅极（9）与第一栅极（2）之间的两个发射极（3）之间以及位于第一栅极（2）外侧的发射极（3）上连接有P+区域（5）。
2.如权利要求1所述的具有高抗短路能力的IGBT器件，其特征是：所述第二栅极（9）的宽度大于第一栅极（2）的宽度。
3.如权利要求1所述的具有高抗短路能力的IGBT器件，其特征是：所述第二绝缘氧化层（11）的宽度大于第一绝缘氧化层（4）的宽度。
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