[发明专利]包括场效应晶体管的半导体器件

摘要

本公开涉及半导体器件。该半导体器件包括：器件隔离层，其在衬底上以限定有源区；在有源区上的第一栅电极，其在平行于衬底的顶表面的第一方向上延伸；第二栅电极，其在器件隔离层上并且在第一方向上与第一栅电极间隔开；栅间隔物，其在第一栅电极和第二栅电极之间；以及源/漏区域，其在第一栅电极的相对侧的有源区中。源/漏区域在第二方向上彼此间隔开，该第二方向平行于衬底的顶表面并且交叉第一方向，以及，当在俯视图中被观察时，第一栅电极与有源区和器件隔离层之间的边界间隔开。

主权项

一种半导体器件，包括：器件隔离层，其在衬底上以限定有源区；在所述有源区上的第一栅电极，其在平行于所述衬底的顶表面的第一方向上延伸；第二栅电极，其在所述器件隔离层上并且在所述第一方向上与所述第一栅电极间隔开；栅间隔物，其在所述第一栅电极和所述第二栅电极之间；以及源/漏区域，其在所述第一栅电极的相对侧的所述有源区中，其中所述源/漏区域在第二方向上彼此间隔开，所述第二方向平行于所述衬底的所述顶表面并且交叉所述第一方向，以及其中，当在俯视图中被观察时，所述第一栅电极与所述有源区和所述器件隔离层之间的边界间隔开。