[发明专利]包括场效应晶体管的半导体器件

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

器件隔离层，其在衬底上以限定有源区；

在所述有源区上的第一栅电极，其在平行于所述衬底的顶表面的第一方向上延伸；

第二栅电极，其在所述器件隔离层上并且在所述第一方向上与所述第一栅电极间隔开；

栅间隔物，其在所述第一栅电极和所述第二栅电极之间；以及

源/漏区域，其在所述第一栅电极的相对侧的所述有源区中，

其中所述源/漏区域在第二方向上彼此间隔开，所述第二方向平行于所述衬底的所述顶表面并且交叉所述第一方向，以及

其中，当在俯视图中被观察时，所述第一栅电极的整体与所述有源区和所述器件隔离层之间的边界间隔开。

2.如权利要求1所述的半导体器件，其中：

所述栅间隔物覆盖所述第一栅电极的侧表面并且延伸到所述第一栅电极和所述第二栅电极之间的间隔中以覆盖所述第二栅电极的侧表面，以及

所述第一栅电极的所述侧表面在所述第一方向上面对所述第二栅电极的所述侧表面。

3.如权利要求2所述的半导体器件，其中所述栅间隔物跨过所述有源区和所述器件隔离层之间的所述边界。

4.如权利要求3所述的半导体器件，其中所述第二栅电极是虚设栅电极，没有电压被施加到所述第二栅电极。

5.如权利要求1所述的半导体器件，其中所述第二栅电极从所述器件隔离层的顶表面延伸到所述有源区的顶表面上以跨过所述有源区和所述器件隔离层之间的所述边界。

6.如权利要求5所述的半导体器件，其中所述第二栅电极具有与所述第一栅电极的导电类型相同的导电类型。

7.如权利要求6所述的半导体器件，其中所述源/漏区域延伸到在所述第二栅电极的相对侧处的所述有源区中并且具有与所述第一栅电极和所述第二栅电极的导电类型相同的导电类型。

8.如权利要求7所述的半导体器件，其中：

所述第一栅电极和所述第二栅电极分别是第一PMOS晶体管和第二PMOS晶体管的栅电极，以及

施加到所述第二栅电极的栅电压高于所述第二PMOS晶体管的阈值电压。

9.如权利要求7所述的半导体器件，其中：

所述第一栅电极和所述第二栅电极分别是第一NMOS晶体管和第二NMOS晶体管的栅电极，以及

施加到所述第二栅电极的栅电压低于所述第二NMOS晶体管的阈值电压。

10.如权利要求5所述的半导体器件，其中所述第二栅电极具有与所述第一栅电极的导电类型不同的导电类型。

11.如权利要求10所述的半导体器件，其中所述源/漏区域延伸到在所述第二栅电极的相对侧处的所述有源区中并且具有与所述第一栅电极的导电类型相同的导电类型。

12.如权利要求11所述的半导体器件，其中所述衬底具有与所述第二栅电极的导电类型相同的导电类型。

13.如权利要求12所述的半导体器件，其中所述第一栅电极的导电类型是p型，以及所述第二栅电极的导电类型是n型。

14.如权利要求13所述的半导体器件，其中所述第一栅电极和所述第二栅电极分别是第一PMOS晶体管和第二PMOS晶体管的栅电极，以及

所述第二PMOS晶体管的阈值电压的绝对值大于所述第一PMOS晶体管的阈值电压的绝对值。

15.如权利要求14所述的半导体器件，其中施加到所述第二栅电极的栅电压高于所述第二PMOS晶体管的所述阈值电压。