[发明专利]包括场效应晶体管的半导体器件

说明书

本公开涉及半导体器件。该半导体器件包括：器件隔离层，其在衬底上以限定有源区；在有源区上的第一栅电极，其在平行于衬底的顶表面的第一方向上延伸；第二栅电极，其在器件隔离层上并且在第一方向上与第一栅电极间隔开；栅间隔物，其在第一栅电极和第二栅电极之间；以及源/漏区域，其在第一栅电极的相对侧的有源区中。源/漏区域在第二方向上彼此间隔开，该第二方向平行于衬底的顶表面并且交叉第一方向，以及，当在俯视图中被观察时，第一栅电极与有源区和器件隔离层之间的边界间隔开。

技术领域

本公开涉及半导体器件，并且具体地，涉及包括场效应晶体管的半导体器件。

背景技术

半导体器件可以包括由金属氧化物半导体场效应晶体管(MOS-FET)组成的集成电路(IC)。为了满足对具有小图案尺寸和减少的设计规则的半导体器件的增长的需求，MOS-FET正被按比例缩小。MOS-FET的按比例缩小可以导致在半导体器件的操作性质上的退化。各种研究被执行以克服与半导体器件的按比例缩小相关的技术限制并且以实现高性能半导体器件。

发明内容

实施方式提供具有改善的电特性的半导体器件。实施方式还提供高可靠性的半导体器件。

根据一些实施方式，一种半导体器件可以包括：设置在衬底上以限定有源区的器件隔离层；设置在有源区上以在平行于衬底的顶表面的第一方向上延伸的第一栅电极；设置在器件隔离层上并且在第一方向上与第一栅电极间隔开的第二栅电极；在第一和第二栅电极之间的栅间隔物；以及形成在第一栅电极两侧的有源区中的源/漏区域。源/漏区域可以在第二方向上彼此间隔开，第二方向平行于衬底的顶表面并且交叉第一方向。当在俯视图中被观察时，第一栅电极可以与有源区和器件隔离层之间的边界间隔开。

根据一些实施方式，一种半导体器件可以包括：设置在衬底上以限定有源区的器件隔离层；设置在有源区上以在平行于衬底的顶表面的第一方向上延伸的第一栅电极；设置在器件隔离层上并且在第一方向上与第一栅电极间隔开的第二栅电极；以及形成在第一栅电极两侧的有源区中的源/漏区域。第一和第二栅电极可以彼此间隔开，并且有源区和器件隔离层之间的边界可以位于第一和第二栅电极之间。

根据一些实施方式，一种半导体器件可以包括：设置在衬底上以限定有源区的器件隔离层；设置在有源区上以在平行于衬底的顶表面的第一方向上延伸的第一栅电极；设置在器件隔离层上并且在第一方向上与第一栅电极间隔开的第二栅电极；以及形成在第一栅电极两侧的有源区中的源/漏区域。第二栅电极可以从器件隔离层的顶表面延伸到有源区的顶表面上以跨过有源区和器件隔离层之间的边界。

根据一些实施方式，一种半导体器件可以包括：在衬底上以限定有源区的器件隔离层；在有源区上以在平行于衬底的顶表面的第一方向上延伸的第一栅电极，第一栅电极的边缘在有源区上并且与有源区和器件隔离层之间的边界间隔开；在器件隔离层上并且在第一方向上与第一栅电极间隔开的第二栅电极；在第一栅电极和第二栅电极之间的栅间隔物；以及在第一栅电极的相对侧的有源区中的源/漏区域。

附图说明

通过参考附图详细描述示例实施方式，对本领域技术人员来说特征将变得明显，其中：

图1示出根据一些实施方式的半导体器件的俯视图。

图2示出沿图1的线A-A'截取的剖面图。

图3示出沿图1的线B-B'截取的剖面图。

图4和7示出根据一些实施方式的在制造半导体器件的方法中的阶段的俯视图。

图5和8分别示出沿图4和7的线A-A'截取的剖面图。

图6和9分别示出沿图4和7的线B-B'截取的剖面图。

图10示出根据一些实施方式的半导体器件的俯视图。

图11示出沿图10的线A-A'截取的剖面图。