[发明专利]X射线探测器及其制造方法在审
申请号: | 201710005101.1 | 申请日: | 2017-01-04 |
公开(公告)号: | CN106653789A | 公开(公告)日: | 2017-05-10 |
发明(设计)人: | 田慧 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司11138 | 代理人: | 滕一斌 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明公开了一种X射线探测器及其制造方法,属于探测技术领域。所述X射线探测器包括衬底基板;衬底基板上设置有多个探测单元,多个探测单元中的任一探测单元包括依次设置的薄膜晶体管TFT、设置有过孔的绝缘层和感光结构,TFT中的第一电极通过绝缘层上的过孔和感光结构电连接,第一电极为TFT的源极或漏极;设置有所述多个探测单元的衬底基板上设置有闪烁层。本发明通过分层设置感光结构和TFT,使得增大感光结构的感光面积时,不会受到TFT的影响。解决现有技术中增大感光层时,X射线探测器的探测精度会降低的问题。达到了能够在不降低X射线探测器的探测精度的情况下,增大感光结构的感光面积的效果。 | ||
搜索关键词: | 射线 探测器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种X射线探测器,其特征在于,所述X射线探测器包括:衬底基板;所述衬底基板上设置有多个探测单元,所述多个探测单元中的任一探测单元包括依次设置的薄膜晶体管TFT、设置有过孔的绝缘层和感光结构,所述TFT中的第一电极通过所述绝缘层上的过孔和所述感光结构电连接,所述第一电极为所述TFT的源极或漏极;设置有所述多个探测单元的衬底基板上设置有闪烁层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的