[发明专利]X射线探测器及其制造方法

权利要求书

1.一种X射线探测器，其特征在于，所述X射线探测器包括：

衬底基板；

所述衬底基板上设置有多个探测单元，所述多个探测单元中的任一探测单元包括依次设置的薄膜晶体管TFT、设置有过孔的绝缘层和感光结构，所述TFT中的第一电极通过所述绝缘层上的过孔和所述感光结构电连接，所述第一电极为所述TFT的源极或漏极；

设置有所述多个探测单元的衬底基板上设置有闪烁层。

2.根据权利要求1所述的X射线探测器，其特征在于，所述感光结构包括感光层、驱动电极和感测电极，所述感测电极通过所述绝缘层上的过孔与所述第一电极电连接，

所述驱动电极用于向所述感光层中施加电压，所述感测电极用于接收所述感光层输出的电流。

3.根据权利要求2所述的X射线探测器，其特征在于，所述感光层包括轻掺杂的非晶硅感光层。

4.根据权利要求3所述的X射线探测器，其特征在于，所述轻掺杂的非晶硅感光层为硼轻掺杂的非晶硅感光层，所述轻掺杂的非晶硅感光层中每平方厘米的硼原子个数为5×10¹¹至1×10¹³。

5.根据权利要求2所述的X射线探测器，其特征在于，所述感光结构还包括有机无机复合介质薄膜，

所述有机无机复合介质薄膜设置在所述驱动电极与所述感光层之间；

所述有机无机复合介质薄膜还设置在所述感测电极与所述感光层之间。

6.根据权利要求5所述的X射线探测器，其特征在于，所述有机无机复合介质薄膜的厚度为100纳米至300纳米。

7.根据权利要求1至6任一所述的X射线探测器，其特征在于，所述感光结构在所述衬底基板上的正投影和所述TFT在所述衬底基板上的正投影存在重叠区域。

8.根据权利要求2所述的X射线探测器，其特征在于，所述多个探测单元中的感光层为一体结构。

9.根据权利要求5所述的X射线探测器，其特征在于，所述多个探测单元中有机无机复合介质薄膜为一体结构。

10.一种X射线探测器的制造方法，其特征在于，所述方法包括：

在衬底基板上形成多个探测单元，所述多个探测单元中的任一探测单元包括依次设置的薄膜晶体管TFT、包括过孔的绝缘层和感光结构，所述TFT中的第一电极通过所述绝缘层上的过孔和所述感光结构电连接，所述第一电极为所述TFT的源极或漏极；

在形成有所述多个探测单元的衬底基板上形成闪烁层。

11.根据权利要求10所述的方法，其特征在于，所述在衬底基板上形成多个探测单元，包括：

在所述衬底基板上形成所述TFT；

在形成有所述TFT的衬底基板上形成所述包括过孔的绝缘层；

在形成有所述包括过孔的绝缘层的衬底基板上形成所述感光结构。

12.根据权利要求11所述的方法，其特征在于，所述在形成有所述包括过孔的绝缘层的衬底基板上形成所述感光结构，包括：

在形成有所述包括过孔的绝缘层的衬底基板上形成驱动电极和感测电极，所述感测电极通过所述绝缘层上的过孔与所述第一电极电连接；

在形成有所述驱动电极和所述感测电极的衬底基板上形成感光层。

13.根据权利要求12所述的方法，其特征在于，所述在形成有所述驱动电极和所述感测电极的衬底基板上形成感光层之前，所述方法还包括：

在形成有所述驱动电极和所述感测电极的衬底基板上形成有机无机复合介质薄膜；

所述在形成有所述驱动电极和所述感测电极的衬底基板上形成感光层，包括：

在形成有所述有机无机复合介质薄膜的衬底基板上形成所述感光层。

14.根据权利要求12所述的方法，其特征在于，所述在形成有所述驱动电极和所述感测电极的衬底基板上形成感光层，包括：

在形成有所述驱动电极和所述感测电极的衬底基板上形成非晶硅薄膜；

对所述非晶硅薄膜进行硼离子注入；

对进行硼离子注入后的所述非晶硅薄膜进行低温退火处理，使所述非晶硅薄膜转变为所述感光层。

15.根据权利要求14所述的方法，其特征在于，所述低温退火处理的温度为150摄氏度至230摄氏度，时间为1小时至2小时。