[发明专利]X射线探测器及其制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及探测技术领域，特别涉及一种X射线探测器及其制造方法。

背景技术

X射线探测器(英文：X-ray detector)是一种用于将肉眼看不到的X射线(英文：X-ray)转换为电信号的装置。

X射线探测器通常包括基板11以及设置在基板11上的多个探测单元以及设置在多个探测单元上的闪烁层14，每个探测单元包括薄膜晶体管(英文：Thin Film Transistor；简称：TFT)12和感光结构13，感光结构13设置在TFT12的漏极上，且与TFT12电连接，闪烁层14用于将X射线转化为可见光，感光结构13用于将该可见光转化为电信号，TFT12用于作为读取该电信号的开关。在使用X射线探测器时，可以将X射线发射装置和X射线探测器设置在被测体(例如人体)的两侧，X射线发射装置发射的X射线在通过被测体时被调制，被调制的X射线照射在X射线探测器后，X射线探测器能够将调制的X射线转换为电信号并输出。X射线探测器的信噪比(英文：signal-to-noise ratio；简称：SNR)与感光结构的感光面积(感光结构接收X射线的一侧的面积)正相关，通过增大感光结构的感光面积能够增大X射线探测器的信噪比。

在实现本发明的过程中，发明人发现现有技术至少存在以下问题：增大设置于TFT的漏极上的感光结构的感光面积时，探测单元也会增大，而探测单元的增大会使X射线探测器中探测单元的密度降低，进而会降低X射线探测器的探测精度。

发明内容

为了解决现有技术中增大感光层时，X射线探测器的探测精度会降低的问题，本发明实施例提供了一种X射线探测器及其制造方法。所述技术方案如下：

根据本发明的第一方面，提供了一种X射线探测器，所述X射线探测器包括：

衬底基板；

所述衬底基板上设置有多个探测单元，所述多个探测单元中的任一探测单元包括依次设置的薄膜晶体管TFT、设置有过孔的绝缘层和感光结构，所述TFT中的第一电极通过所述绝缘层上的过孔和所述感光结构电连接，所述第一电极为所述TFT的源极或漏极；

设置有所述多个探测单元的衬底基板上设置有闪烁层。

可选的，所述感光结构包括感光层、驱动电极和感测电极，所述感测电极通过所述绝缘层上的过孔与所述第一电极电连接，

所述驱动电极用于向所述感光层中施加电压，所述感测电极用于接收所述感光层输出的电流。

可选的，所述感光层包括轻掺杂的非晶硅感光层。

可选的，所述轻掺杂的非晶硅感光层为硼轻掺杂的非晶硅感光层，所述轻掺杂的非晶硅感光层中每平方厘米的硼原子个数为5×10¹¹至1×10¹³。

可选的，所述感光结构还包括有机无机复合介质薄膜，

所述有机无机复合介质薄膜设置在所述驱动电极与所述感光层之间；

所述有机无机复合介质薄膜还设置在所述感测电极与所述感光层之间。

可选的，所述有机无机复合介质薄膜的厚度为100纳米至300纳米。

可选的，所述感光结构在所述衬底基板上的正投影和所述TFT在所述衬底基板上的正投影存在重叠区域。

可选的，所述多个探测单元中的感光层为一体结构。

可选的，所述多个探测单元中有机无机复合介质薄膜为一体结构。

根据本发明的第二方面，提供一种X射线探测器的制造方法，所述方法包括：

在衬底基板上形成多个探测单元，所述多个探测单元中的任一探测单元包括依次设置的薄膜晶体管TFT、包括过孔的绝缘层和感光结构，所述TFT中的第一电极通过所述绝缘层上的过孔和所述感光结构电连接，所述第一电极为所述TFT的源极或漏极；

在形成有所述多个探测单元的衬底基板上形成闪烁层。

可选的，所述在衬底基板上形成多个探测单元，包括：

在所述衬底基板上形成所述TFT；

在形成有所述TFT的衬底基板上形成所述包括过孔的绝缘层；

在形成有所述包括过孔的绝缘层的衬底基板上形成所述感光结构。

可选的，所述在形成有所述包括过孔的绝缘层的衬底基板上形成所述感光结构，包括：

在形成有所述包括过孔的绝缘层的衬底基板上形成驱动电极和感测电极，所述感测电极通过所述绝缘层上的过孔与所述第一电极电连接；

在形成有所述驱动电极和所述感测电极的衬底基板上形成感光层。