[发明专利]具有电磁干扰屏蔽结构的半导体封装有效

专利信息
申请号: 201680083027.9 申请日: 2016-04-01
公开(公告)号: CN109314100B 公开(公告)日: 2023-05-26
发明(设计)人: J·黑普纳;M·B·莫迪 申请(专利权)人: 英特尔公司
主分类号: H01L23/552 分类号: H01L23/552;H01L23/48
代理公司: 永新专利商标代理有限公司 72002 代理人: 林金朝;王英
地址: 美国加*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 公开了具有电磁干扰(EMI)屏蔽结构的半导体封装及其制造方法。在一些方面中,一种屏蔽结构可以充当由导电材料或由可以用于阻挡从在半导体封装的封装级或局部和/或分隔的封装级由屏蔽结构包围的一个或多个电子部件发射的电场的这种材料的网格形成的外壳。在一个实施例中,线和/或带接合可以用于制造屏蔽结构。例如,一个或多个线和/或带接合可以从封装的一侧上的连接接地焊盘延伸到封装的另一侧上的连接接地焊盘。这可以在预定间距下重复多次,该预定间距是符合用于屏蔽的电气要求所必需的,例如,小于或等于由被屏蔽的电子部件生成的辐射的波长的大致一半。
搜索关键词: 具有 电磁 干扰 屏蔽 结构 半导体 封装
【主权项】:
1.一种微电子封装,包括:衬底,所述衬底具有顶部衬底表面,所述顶部衬底表面具有提供于其上的电子部件以及设置于所述衬底表面上的一个或多个接地焊盘;以及屏蔽结构,所述屏蔽结构电连接到所述一个或多个接地焊盘并安装于所述衬底表面上,并且至少部分包围所述电子部件,所述屏蔽结构包括多个线或多个带。
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