[发明专利]混合微电子基底在审
| 申请号： | 201680082981.6 | 申请日： | 2016-03-30 |
| 公开（公告）号： | CN108780785A | 公开（公告）日： | 2018-11-09 |
| 发明（设计）人： | R.斯塔克斯顿;R.L.桑克曼;S.M.莫克勒;R.C.斯塔米;A.P.阿卢尔 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01L23/48 | 分类号： | H01L23/48;H01L23/498;H01L23/485;H01L23/488 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 姜冰;张金金 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本文公开了混合微电子基底、以及相关的装置和方法。在一些实施例中，混合微电子基底可以包括在第一表面具有凹处的低密度微电子基底，以及设置在凹处中并经由焊料耦合到凹处的底部的高密度微电子基底。 | ||
| 搜索关键词： | 基底 混合微电子 凹处 焊料 高密度微电子 第一表面 耦合到 微电子 | ||
【主权项】：
1. 一种混合微电子基底，包含：低密度微电子基底（LDMS），所述低密度微电子基底在第一表面具有凹处；以及高密度微电子基底（HDMS），所述高密度微电子基底设置在所述凹处中并经由焊料互连耦合到所述凹处的底表面。
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