[发明专利]单晶层、特别是压电层的制造方法在审
| 申请号： | 201680080405.8 | 申请日： | 2016-12-21 |
| 公开（公告）号： | CN108603305A | 公开（公告）日： | 2018-09-28 |
| 发明（设计）人： | 布鲁诺·吉瑟兰;J-M·贝斯奥谢 | 申请（专利权）人： | 索泰克公司 |
| 主分类号： | C30B25/18 | 分类号： | C30B25/18;C30B29/22;H01L21/762;H01L41/312 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 庞东成;龚泽亮 |
| 地址： | 法国*** | 国省代码： | 法国;FR |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种制造单晶层(10)的方法，其特征在于，该方法包括以下连续步骤：‑提供包含具有ABO3组成的压电材料的供体衬底(100)，其中，A由来自Li、Na、K、H、Ca的至少一种元素构成；B由来自Nb、Ta、Sb、V的至少一种元素构成；‑提供受体衬底(110)，‑将称为“晶种层”的层(102)从所述供体衬底(100)转移至所述受体衬底(110)上，这通过将供体衬底键合于受体衬底上以使所述晶种层(102)处于键合界面处、随后减薄所述供体衬底(100)直到所述晶种层(102)而进行；‑在所述晶种层(102)的压电材料ABO3上通过外延来生长具有A’B’O3组成的单晶层(103)，其中：A’由以下元素Li、Na、K、H中的至少一种构成；B’由以下元素Nb、Ta、Sb、V中的至少一种构成；A’不同于A，或者B’不同于B。 | ||
| 搜索关键词： | 衬底 晶种层 供体 单晶层 压电材料 衬底键合 键合界面 连续步骤 压电层 减薄 制造 生长 | ||
【主权项】：
1.一种制造单晶层(10)的方法，其特征在于，该方法包括以下连续步骤：‑提供包含具有ABO3组成的压电材料的供体衬底(100)，其中A由来自Li、Na、K、H的至少一种元素构成；B由来自Nb、Ta、Sb、V的至少一种元素构成；‑提供受体衬底(110)，‑将称为“晶种层”的层(102)从所述供体衬底(100)转移至所述受体衬底(110)上，这通过将所述供体衬底键合于所述受体衬底上以使所述晶种层(102)处于键合界面处、随后减薄所述供体衬底(100)直到所述晶种层(102)而进行；‑在所述晶种层(102)的压电材料ABO3上通过外延来生长具有A’B’O3组成的单晶层(103)，其中：A’由以下元素Li、Na、K、H中的至少一种构成；B’由以下元素Nb、Ta、Sb、V中的至少一种构成；A’不同于A，或者B’不同于B。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于索泰克公司，未经索泰克公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201680080405.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
