[发明专利]改善的OLED中的发光在审
| 申请号： | 201680076765.0 | 申请日： | 2016-12-08 |
| 公开（公告）号： | CN108770378A | 公开（公告）日： | 2018-11-06 |
| 发明（设计）人： | 斯蒂芬·哈尔凯马;邓肯·亨利·麦克伦;萨米·萨比克;拉杰什·曼达姆帕拉姆比尔 | 申请（专利权）人： | 荷兰应用自然科学研究组织TNO;杜邦帝人薄膜英国有限公司 |
| 主分类号： | H01L51/52 | 分类号： | H01L51/52 |
| 代理公司： | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人： | 王东贤;王珍仙 |
| 地址： | 荷兰*** | 国省代码： | 荷兰;NL |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 改善OLED中的发光，本发明涉及有机发光二极管(OLED)系统，其包括具有夹在第一电极和第二电极(3a、3b)之间的半导体有机层(2)的多层结构；进一步包括插入半导体有机层和聚合物基板(1)之间的阻挡层(6)，在所述聚合物基板上已经形成了无规纳米柱结构，柱高度尺寸在50纳米和1000纳米之间并且间距的范围为50纳米至1000纳米。 | ||
| 搜索关键词： | 聚合物基板 有机层 半导体 发光 有机发光二极管 纳米柱结构 第二电极 第一电极 多层结构 阻挡层 | ||
【主权项】：
1.一种制造用于有机发光二极管(OLED)系统的阻挡基板的方法，其包括：‑提供透明的聚合物基板，比如PET或PEN；‑通过烧蚀工艺在其上形成无规纳米柱结构，柱高度尺寸在50纳米和1000纳米之间并且间距的范围为50纳米至1000纳米；‑提供厚度为100nm至30微米的透明涂层，其折射率与无机阻挡层相当；和‑提供所述无机阻挡层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于荷兰应用自然科学研究组织TNO;杜邦帝人薄膜英国有限公司，未经荷兰应用自然科学研究组织TNO;杜邦帝人薄膜英国有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201680076765.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：具有超晶格结构的半导体晶体管
- 下一篇：电插塞连接器
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
