[发明专利]改善的OLED中的发光

权利要求书

1.一种制造用于有机发光二极管(OLED)系统的阻挡基板的方法，其包括：

-提供透明的聚合物基板，比如PET或PEN；

-通过烧蚀工艺在其上形成无规纳米柱结构，柱高度尺寸在50纳米和1000纳米之间并且间距的范围为50纳米至1000纳米；

-提供厚度为100nm至30微米的透明涂层，其折射率与无机阻挡层相当；和

-提供所述无机阻挡层。

2.根据权利要求1所述的方法，进一步包括提供具有夹在第一电极和第二电极之间的半导体有机层的多层结构；进一步提供插入所述电极和所述聚合物基板之间的所述阻挡层。

3.根据权利要求2所述的方法，其中所述阻挡层提供为接触所述电极层，使得所述电极遵循所述无规纳米柱结构赋予的拓扑结构。

4.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中所述烧蚀工艺是反应性离子蚀刻工艺。

5.根据权利要求4所述的方法，其中所述RIE工艺通过递送的任何CHF₃、Ar、O₂的等离子体，在50W至500W，优选100W至300W的功率设置，和0.1min至10min，优选地0.5min至5min的时间范围，100W*3min至300W*9min范围的速率下进行。

6.一种以卷对卷工艺进行的制造用于有机发光二极管(OLED)系统的阻挡基板的方法，其包括下述步骤：在卷上提供透明的聚合物基板；展开所述聚合物基板；进行权利要求1所述的步骤，和将所提供的无机阻挡层缠绕在卷上。

7.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中所述聚合物基板包括无机屏蔽颗粒的分散。

8.根据权利要求7所述的方法，其中使得所述纳米柱避免所述烧蚀工艺的所述无机屏蔽颗粒基本上由选自由下述组成的组中的至少一种元素的氧化物制造：Si、Al、Ti和Zr。

9.根据权利要求8所述的方法，其中所述屏蔽颗粒的平均粒径的范围为5nm至100nm。

10.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中所述烧蚀工艺为激光工艺。