[发明专利]III族氮化物材料半导体结构中的寄生沟道减轻有效
| 申请号： | 201680064508.5 | 申请日： | 2016-09-07 |
| 公开（公告）号： | CN108352412B | 公开（公告）日： | 2022-01-25 |
| 发明（设计）人： | 约翰·克拉森·罗伯茨;凯文·J·林西克姆;艾伦·W·汉森;小詹姆斯·W·库克 | 申请（专利权）人： | 麦克姆技术解决方案控股有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/00 | 分类号： | H01L31/00;H01L21/28;H01L31/0248 |
| 代理公司： | 北京柏杉松知识产权代理事务所(普通合伙) 11413 | 代理人： | 谢攀;刘继富 |
| 地址： | 美国马*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本文中总体上描述了III族氮化物材料，包括包含III族氮化物材料区域和含硅衬底的材料结构。某些实施例涉及氮化镓材料和包括氮化镓材料区域和含硅衬底的材料结构。 | ||
| 搜索关键词： | iii 氮化物 材料 半导体 结构 中的 寄生 沟道 减轻 | ||
【主权项】：
1.一种半导体结构，包括：衬底，包含硅；以及位于所述衬底的表面区域之上的III族氮化物材料区域，其中：所述衬底的表面区域包括低电导率寄生沟道，或者所述衬底不包括寄生沟道，所述衬底的至少一个区域包含浓度为至少约1019/cm3的相对原子质量小于5的至少一种物质。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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