[发明专利]具有预模制双引线框的半导体系统有效
| 申请号： | 201680062703.4 | 申请日： | 2016-11-04 |
| 公开（公告）号： | CN108352355B | 公开（公告）日： | 2023-03-10 |
| 发明（设计）人： | 拉吉夫·D·乔希;豪·阮;阿宁迪亚·波达尔;肯·范 | 申请（专利权）人： | 德州仪器公司 |
| 主分类号： | H01L21/70 | 分类号： | H01L21/70;H01L23/495;H05K1/00 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 林斯凯 |
| 地址： | 美国德*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 在所描述实例中，一种用于半导体系统的双引线框(100)包含：具有由第一间隙分离的第一金属区域的第一引线框(110)，所述第一金属区域包含具有减小的厚度和选定第一位置中的接合供应品的部分；以及具有由第二间隙分离的第二金属区域的第二引线框(120)，所述第二金属区域包含具有减小的厚度和与所述第一位置匹配的选定第二位置中的接合供应品(150)的部分。所述第二引线框(120)堆叠于所述第一引线框(110)的顶部上，且匹配的所述第二位置与所述第一位置的接合供应品被链接在一起。所得双引线框(100)能够进一步包含绝缘材料(140)，绝缘材料(140)填充所述第一间隙和所述第二间隙和具有减小的厚度的所述区域部分，并具有与顶部和底部金属表面共面的绝缘表面。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 预模制双 引线 半导体 系统 | ||
【主权项】：
1.一种用于半导体系统的双引线框，其包括：具有第一厚度的第一引线框，其具有由第一间隙分离的第一金属区域，所述第一区域包含所述第一厚度的部分和小于所述第一厚度的第二厚度的部分，所述第一厚度部分包含选定第一位置中的接合供应品；以及具有第三厚度的第二引线框，其具有由第二间隙分离的第二金属区域，所述第二区域包含所述第三厚度的部分和小于所述第三厚度的第四厚度的部分，所述第三厚度部分包含与所述第一位置匹配的选定第二位置中的接合供应品；其中所述第二引线框堆叠于所述第一引线框的顶部上，且匹配的所述第二位置与所述第一位置的接合供应品被链接在一起，所得双引线框具有：顶部表面；底部表面；以及等于所述第一厚度与所述第三厚度的总和的厚度。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于德州仪器公司，未经德州仪器公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201680062703.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：具有沉积表面特征结构的基板支撑组件
- 下一篇：非晶金属薄膜非线性电阻器
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
