[发明专利]形成箔触点后发射体太阳能电池的系统和方法在审
申请号: | 201680062605.0 | 申请日: | 2016-08-26 |
公开(公告)号: | CN108352416A | 公开(公告)日: | 2018-07-31 |
发明(设计)人: | D·E·卡尔森;D·H·利维 | 申请(专利权)人: | 奈特考尔技术公司 |
主分类号: | H01L31/0224 | 分类号: | H01L31/0224;H01L31/0216;H01L31/05 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 葛臻翼;江磊 |
地址: | 美国*** | 国省代码: | 美国;US |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明的太阳能电池结构可提供包括前钝化层和前防反射层的前表面。太阳能电池结构可在后表面上提供两个触点。在一些情况中,后表面可任选地提供钝化、掺杂、和/或透明导电氧化物层。后表面还提供多层箔组件(MFA)。MFA提供与基材后表面的掺杂区域(例如基底或发射体区域)电连通的第一金属箔。MFA还可提供通过介电层与第一金属箔间隔开的第二金属箔。第一金属箔和/或介电层可包括穿透所有这些层的开口,并且这些开口可被用来形成与第二金属箔电耦合的激光‑烧制触点,其与第一金属箔电隔离。 | ||
搜索关键词: | 金属箔 后表面 触点 太阳能电池结构 发射体 介电层 开口 透明导电氧化物层 基材后表面 太阳能电池 掺杂区域 防反射层 电隔离 电连通 电耦合 钝化层 多层箔 前表面 钝化 基底 烧制 穿透 掺杂 激光 | ||
【主权项】:
1.一种用于形成太阳能电池的全背接触的方法,所述方法包括:选择基材(100),其中基材的背表面包括钝化层(200);形成多层箔组件(MFA)(475、580、760),其中MFA包括金属层(110、230、772、120、362、782),和与金属层接触的介电层(115),其中介电层被图案化为具有介电层开口(135);在基材上产生第一掺杂区域(155);激光烧制以产生与介电层开口对齐的第二掺杂区域;以及将MFA耦合到基材的背表面。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于奈特考尔技术公司,未经奈特考尔技术公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201680062605.0/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的