[发明专利]形成箔触点后发射体太阳能电池的系统和方法

权利要求书

1.一种用于形成太阳能电池的全背接触的方法，所述方法包括：

选择基材(100)，其中基材的背表面包括钝化层(200)；

形成多层箔组件(MFA)(475、580、760)，其中MFA包括

金属层(110、230、772、120、362、782)，和

与金属层接触的介电层(115)，其中介电层被图案化为具有介电层开口(135)；

在基材上产生第一掺杂区域(155)；

激光烧制以产生与介电层开口对齐的第二掺杂区域；以及

将MFA耦合到基材的背表面。

2.如权利要求1所述的方法，其中金属层是图案化为具有第一金属层开口(130、488)的第一金属层(110、230、772)，第一金属层开口与介电层的介电层开口对齐，并且太阳能电池还包括第二金属层(120、362、782)，其中介电层夹在第一金属层和第二金属层之间。

3.如权利要求2所述的方法，其中MFA还包括第二金属层(120、362、782)。

4.如权利要求2所述的方法，其中介电层开口具有比第一金属层开口更小的直径。

5.如权利要求2所述的方法，其中第二金属层(782)被图案化为具有与第一掺杂区域对齐的开口(764)。

6.如权利要求5所述的方法，其中介电层(778)被图案化为具有与第一掺杂区域对齐的开口(764)。

7.如权利要求2所述的方法，其中激光烧制穿过第二金属层进行，由此导致第二金属层与第二掺杂区域电接触。

8.如权利要求2所述的方法，该方法还包括以下步骤：在第二金属层被添加到MFA之前，在第一掺杂区域处激光烧制MFA的第一金属层，其中在第一金属层和第一掺杂区域之间形成第一激光烧制触点。

9.如权利要求2所述的方法，该方法还包括以下步骤：在将第二金属层添加到MFA之前施加辅助绝缘层(355)。

10.如权利要求2所述的方法，该方法还包括以下步骤：蚀刻基材以部分或完全地去除后导电结构(240)，其中当第一金属层在介电层之前与基材结合时，第一金属层开口充当蚀刻加工的掩模，或者

当第一金属层和介电层同时结合到基材上时，介电层开口和第一金属层开口作为蚀刻的掩模。

11.如权利要求1所述的方法，该方法还包括以下步骤：穿孔金属层以形成第一金属层开口(130、488)，其中金属层为第一金属层(110、230、772)，并且第一金属层开口与介电层的介电层开口对齐。

12.如权利要求1所述的方法，其中基材(100)的后表面包括用于异质结或隧道结的掺杂层或结诱导层(235)。

13.如权利要求2所述的方法，其中用掺杂剂(620)涂覆第二金属层以辅助形成第二掺杂区域。

14.如权利要求13所述的方法，其中掺杂剂是硅的n-型掺杂剂。

15.如权利要求13所述的方法，其中掺杂剂存在于第一金属层开口和介电层开口区域中的第二金属层上。

16.如权利要求2所述的方法，该方法还包括以下步骤：使第二金属层局部变形以使第二金属层接触第二掺杂区域，其中变形是用激光脉冲或通过施加压力或力来进行的。

17.如权利要求1所述的方法，其中MFA还包括一个或多个结合层(820、835)以辅助MFA粘附到基材上或辅助MFA的各个层相互粘附。