[发明专利]半导体激光器和用于制造半导体激光器的方法

摘要

在一个实施方式中，半导体激光器(1)包括半导体层序列(2)。半导体层序列(2)包含n型传导区域(23)、p型传导区域(21)和位于其之间的有源区(22)。在谐振器段(3)中产生激光辐射。谐振器段(3)平行于有源区(22)定向。此外，半导体激光器(1)包含电的p型接触部(41)和电的n型接触部(43)，所述p型接触部和n型接触部各自处于半导体层序列(2)的所属的区域(21，23)上，并且所述p型接触部和n型接触部设计用于将电流直接馈入所属的区域(21，23)中。n型接触部(43)从p型传导区域(21)起穿过有源区(22)延伸到n型传导区域(23)中，并且在俯视图中观察处于谐振器段(3)旁边。

主权项

1.一种半导体激光器(1)，所述半导体激光器具有：/n-半导体层序列(2)，所述半导体层序列包括n型传导区域(23)、p型传导区域(21)和位于其之间的有源区(22)，/n-至少一个谐振器段(3)，在所述谐振器段(3)中在所述半导体激光器(1)运行时产生激光辐射(L)，并且所述谐振器段平行于所述有源区(22)定向，/n-电的p型接触部(41)，所述p型接触部处于所述p型传导区域(21)上，并且所述p型接触部设计用于将电流直接馈入到所述p型传导区域(21)中，/n-电的n型接触部(43)，所述n型接触部处于所述n型传导区域(23)上，并且所述n型接触部设计用于将电流直接馈入到所述n型传导区域(23)中，/n其中所述n型接触部(43)从所述p型传导区域(21)起穿过所述有源区(22)延伸到所述n型传导区域(23)中，并且在俯视图中观察处于所述谐振器段(3)旁边，使得所述n型接触部(43)在所述n型传导区域(23)之内终止，/n-在至少一个平行于所述有源区(22)的横截面中观察，所述n型接触部(43)在四周由所述半导体层序列(2)的材料包围，使得在所述p型传导区域(21)的区域中以及在所述有源区(22)的平面中，所述n型接触部(43)在四周由所属的半导体材料的闭合的、连贯的带包围，并且所述n型接触部(43)在横向方向上在所述半导体层序列(2)的区域中侧向地在任何位置都不露出，/n-所述n型接触部(43)和所述p型接触部(41)各由一种或多种金属构成，/n-直接在所述n型接触部(43)上和直接在所述p型接触部(41)上，在背离所述半导体层序列(2)的一侧上安置有各一个金属的加强层(51，53)，/n-所述加强层(51，53)在背离所述半导体层序列(2)的一侧上各仅局部地由至少一个电绝缘层(72)覆盖，/n-将用于外部电接触所述半导体激光器(1)的至少两个金属的电接触面(61，63)直接施加到所述电绝缘层(72)上，和/n-在所述p型传导区域(21)的俯视图中观察，所述电接触面(61，63)具有与所述加强层(51，53)和与所述n型接触部(43)和所述p型接触部(41)不同的基面。/n