[发明专利]半导体激光器和用于制造半导体激光器的方法

说明书

在一个实施方式中，半导体激光器(1)包括半导体层序列(2)。半导体层序列(2)包含n型传导区域(23)、p型传导区域(21)和位于其之间的有源区(22)。在谐振器段(3)中产生激光辐射。谐振器段(3)平行于有源区(22)定向。此外，半导体激光器(1)包含电的p型接触部(41)和电的n型接触部(43)，所述p型接触部和n型接触部各自处于半导体层序列(2)的所属的区域(21，23)上，并且所述p型接触部和n型接触部设计用于将电流直接馈入所属的区域(21，23)中。n型接触部(43)从p型传导区域(21)起穿过有源区(22)延伸到n型传导区域(23)中，并且在俯视图中观察处于谐振器段(3)旁边。

技术领域

提出一种半导体激光器。此外，提出一种用于制造半导体激光器的方法。

发明内容

要实现的目的在于：提出一种紧凑的半导体激光器，能够从所述半导体激光器中良好地导出废热。

此外，所述目的通过具有本发明的特征的半导体激光器来实现。优选的改进形式是下面描述的主题。

根据至少一个实施方式，半导体激光器包括半导体层序列。半导体层序列优选基于III-V族化合物半导体材料。半导体材料例如是氮化物化合物半导体材料如Al_nIn_1-n-mGa_mN或是磷化物化合物半导体材料如Al_nIn_1-n-mGa_mP或者也为砷化物化合物半导体材料如Al_nIn_1-n-mGa_mAs，其中分别有0≤n≤1，0≤m≤1并且n+m≤1。在此，半导体层序列能够具有掺杂物以及附加的组成部分。然而，为了简单性仅说明半导体层序列的晶格的主要组成部分，即Al、As、Ga、In、N或P，即使这些主要组成部分能够部分地由少量的其他物质替代和/或补充时也如此。

根据至少一个实施方式，半导体层序列包含n型传导区域和p型传导区域。在这两个区域之间存在有源区。p型传导区域、有源区和n型传导区域沿着半导体层序列的生长方向优选直接彼此堆叠地安置。

根据至少一个实施方式，半导体激光器具有一个或多个谐振器段。在至少一个谐振器段中，在半导体激光器正常运行时产生激光辐射。所述在谐振器段中产生的激光辐射至少部分地从半导体激光器中向外发射。激光辐射例如表示：由半导体激光器发射的辐射是相干辐射。发射的辐射的相干波长例如为至少1mm或10mm或1m。

根据至少一个实施方式，半导体激光器包括电的p型接触部，所述p型接触部优选直接处于p型传导区域上，并且所述p型接触部设计用于将电流直接馈入到p型传导区域中。换言之，通过p型接触部对p型传导区域通电。特别地，仅经由电的p型接触部将电流馈入p型传导区域中。

根据至少一个实施方式，半导体激光器包含电的n型接触部。n型接触部优选局部直接处于n型传导区域上。以与p型接触部相同的方式，n型接触部设计用于将电流直接馈入到n型传导区域中。在半导体激光器运行时，优选仅经由电的n型接触部将电流馈入n型传导区域中。

根据至少一个实施方式，n型接触部从p型传导区域起并且穿过有源区延伸到n型传导区域中。换言之，n型接触部为穿过有源区的过孔，也称作为通孔(Via)。在此，n型接触部也能够由多个过孔或通孔组成。

根据至少一个实施方式，n型传导区域设计用于沿平行于有源区的方向的电流引导和/或电流扩展。于是，电通流从n型接触部起经由n型传导区域进行，其中n型传导区域中的主电通流方向优选垂直于n型接触部中的主电流方向定向。有源区从n型传导区域起朝p型传导区域和朝p型接触部通电，其中在此电流方向优选相对于n型接触部中的主电流方向反并联地取向。