[发明专利]半导体激光器和用于制造半导体激光器的方法

权利要求书

1.一种半导体激光器(1)，所述半导体激光器具有：

-半导体层序列(2)，所述半导体层序列包括n型传导区域(23)、p型传导区域(21)和位于其之间的有源区(22)，

-至少一个谐振器段(3)，在所述谐振器段(3)中在所述半导体激光器(1)运行时产生激光辐射(L)，并且所述谐振器段平行于所述有源区(22)定向，

-电的p型接触部(41)，所述p型接触部处于所述p型传导区域(21)上，并且所述p型接触部设计用于将电流直接馈入到所述p型传导区域(21)中，

-电的n型接触部(43)，所述n型接触部处于所述n型传导区域(23)上，并且所述n型接触部设计用于将电流直接馈入到所述n型传导区域(23)中，

其中所述n型接触部(43)从所述p型传导区域(21)起穿过所述有源区(22)延伸到所述n型传导区域(23)中，并且在俯视图中观察处于所述谐振器段(3)旁边，使得所述n型接触部(43)在所述n型传导区域(23)之内终止，

-在至少一个平行于所述有源区(22)的横截面中观察，所述n型接触部(43)在四周由所述半导体层序列(2)的材料包围，使得在所述p型传导区域(21)的区域中以及在所述有源区(22)的平面中，所述n型接触部(43)在四周由所属的半导体材料的闭合的、连贯的带包围，并且所述n型接触部(43)在横向方向上在所述半导体层序列(2)的区域中侧向地在任何位置都不露出，

-所述n型接触部(43)和所述p型接触部(41)各由一种或多种金属构成，

-直接在所述n型接触部(43)上和直接在所述p型接触部(41)上，在背离所述半导体层序列(2)的一侧上安置有各一个金属的加强层(51，53)，

-所述加强层(51，53)在背离所述半导体层序列(2)的一侧上各仅局部地由至少一个电绝缘层(72)覆盖，

-将用于外部电接触所述半导体激光器(1)的至少两个金属的电接触面(61，63)直接施加到所述电绝缘层(72)上，和

-在所述p型传导区域(21)的俯视图中观察，所述电接触面(61，63)具有与所述加强层(51，53)和与所述n型接触部(43)和所述p型接触部(41)不同的基面。

2.根据权利要求1所述的半导体激光器(1)，

其中在垂直于所述有源区(22)的方向上，通过所述n型接触部(43)降低从所述谐振器段(3)朝所述p型传导区域(21)处的电接触面(61，63)的热阻，所述电接触面用于外部电接触所述半导体激光器(1)，并且所述n型接触部(43)距所述谐振器段(3)远至，使得所述谐振器段(3)在光学上不受所述n型接触部(43)影响。

3.根据权利要求1所述的半导体激光器(1)，

所述半导体激光器包括脊形波导(33)，通过所述脊形波导限定所述谐振器段(3)，其中由所述p型接触部(41)仅在所述脊形波导(33)处将电流馈入到所述半导体层序列(2)中，并且其中所述脊形波导(33)在两侧由所述半导体层序列(2)中的沟槽(32)限界，并且所述沟槽(32)至少部分地由所述p型接触部(41)填充。

4.根据权利要求1所述的半导体激光器(1)，

其中在所述p型传导区域(21)的俯视图中观察，所述p型接触部(41)和所述n型接触部(43)不重叠，

其中所述谐振器段(3)在所述有源区(22)之内伸展，并且垂直于所述半导体层序列(2)的彼此相对置的棱面(25)取向，并且

其中所述半导体激光器(1)包括用于所述半导体层序列(2)的生长衬底(20)。

5.根据权利要求1所述的半导体激光器(1)，

其中在所述p型传导区域(21)的俯视图中观察，所述n型接触部(43)对称地成形，其中所述谐振器段(3)是对称轴线。