[发明专利]用于动态控制湿式蚀刻工艺的温度的方法和设备有效
| 申请号： | 201680057026.7 | 申请日： | 2016-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN108140571B | 公开（公告）日： | 2022-06-28 |
| 发明（设计）人： | 安东尼奥·路易斯·帕切科·罗通达罗;华莱士·P·普林茨 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/306 | 分类号： | H01L21/306;H01L21/02;H01L21/3213;H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 蔡胜有;苏虹 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种通过动态控制选择温度下的硫酸的径向分配来控制晶片表面上的磷酸处理的温度分布的方法，所述方法包括提供基底，其具有在其上形成的层；将第一化学物质和第二化学物质分配在所述层上，同时调节第二化学物质分配的至少一个参数以改变在基底的区域上的蚀刻速率。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 动态控制 蚀刻 工艺 温度 方法 设备 | ||
【主权项】：
一种用于蚀刻基底上的层的方法，其包括：提供基底，其具有在其上形成的层；将第一化学物质分配在所述层上；当分配第一化学物质时，单独地将第二化学物质分配在所述层上；在所述第二化学物质分配期间，调节所述第二化学物质分配的至少一个参数以改变所述基底的区域上的蚀刻速率。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
