[发明专利]具有与周边电路的降低的磁耦合和高串联谐振频率的金属-氧化物-金属(mom)电容器有效
| 申请号： | 201680055199.5 | 申请日： | 2016-09-12 |
| 公开（公告）号： | CN108140633B | 公开（公告）日： | 2021-06-15 |
| 发明（设计）人： | Z·金;T·杨;T-P·洪;M·法拉基安 | 申请（专利权）人： | 高通股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/522 | 分类号： | H01L23/522 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 亓云;陈炜 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 金属‑氧化物‑金属(MOM)型电容器包括配置成接收第一电压的第一端子，第一端子形成在第一介电层上；形成在第一介电层上的第一指状物集合，第一指状物集合经由在第二介电层上形成的导电迹线电耦合至第一端子；配置成接收第二电压的第二端子，第二端子形成在第一介电层上；以及形成在第一介电层上的第二指状物集合，第二指状物集合耦合至第二端子，其中第二指状物集合与第一指状物集合穿插。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 周边 电路 降低 耦合 串联 谐振 频率 金属 氧化物 mom 电容器 | ||
【主权项】：
一种装置，包括：电容器，包括：置于第一介电层上的第一端子，其中所述第一端子电连接至第一电压电势的源；置于所述第一介电层上的第一指状物集合，其中所述第一指状物集合藉由置于第二介电层上的导电迹线电耦合至所述第一端子；置于所述第一介电层上的第二端子，其中所述第二电容器端子电连接至第二电压电势的源；以及置于所述第一介电层上的第二指状物集合，其中所述第二指状物集合电耦合至所述第二端子，其中所述第二指状物集合中的至少一些指状物各自位于所述第一指状物集合中的毗邻指状物对之间并且与之基本上平行地延伸。
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