[发明专利]薄膜晶体管和薄膜晶体管的制备方法和阵列基板在审
| 申请号： | 201680049276.6 | 申请日： | 2016-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN108064419A | 公开（公告）日： | 2018-05-22 |
| 发明（设计）人： | 陈小明;赵晓辉;曹慧敏 | 申请（专利权）人： | 深圳市柔宇科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/04 | 分类号： | H01L29/04;H01L29/06;H01L29/167;H01L29/786;H01L21/336;H01L21/34 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 518052 广东省深圳市南山*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 一种薄膜晶体管(100)和薄膜晶体管(100)的制备方法和阵列基板，薄膜晶体管(100)包括栅极(102)、有源层(104)、源极(106)、漏极(108)、第一保护层(110)和第二保护层(112)，所述第一保护层(110)位于所述源极(106)和所述有源层(104)之间并连接所述源极(106)和所述有源层(104)，所述第二保护层(112)位于所述漏极(108)和所述有源层(104)之间并连接所述漏极(108)和所述有源层(104)，所述第一保护层(110)和所述第二保护层(112)均包括层叠的至少两个子层(114)，所述至少两个子层(114)的掺杂浓度不相同。上述薄膜晶体管(100)中，连接有源层(104)和源极(106)/漏极(108)的保护层(110、112)包括掺杂浓度不同的至少两个子层(114)，如此，在设置保护层(110、112)的情况下，能够优化有源层(104)和源极(106)/漏极(108)之间的接触电阻，进而改善薄膜晶体管(100)的电学特性。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 制备 方法 阵列 | ||
【主权项】：
1.一种薄膜晶体管，其特征在于，包括栅极、有源层、源极、漏极、第一保护层和第二保护层，所述第一保护层位于所述源极和所述有源层之间并连接所述源极和所述有源层，所述第二保护层位于所述漏极和所述有源层之间并连接所述漏极和所述有源层，所述第一保护层和所述第二保护层均包括层叠的至少两个子层，所述至少两个子层的掺杂浓度不相同。
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