[发明专利]薄膜晶体管和薄膜晶体管的制备方法和阵列基板

说明书

一种薄膜晶体管(100)和薄膜晶体管(100)的制备方法和阵列基板，薄膜晶体管(100)包括栅极(102)、有源层(104)、源极(106)、漏极(108)、第一保护层(110)和第二保护层(112)，所述第一保护层(110)位于所述源极(106)和所述有源层(104)之间并连接所述源极(106)和所述有源层(104)，所述第二保护层(112)位于所述漏极(108)和所述有源层(104)之间并连接所述漏极(108)和所述有源层(104)，所述第一保护层(110)和所述第二保护层(112)均包括层叠的至少两个子层(114)，所述至少两个子层(114)的掺杂浓度不相同。上述薄膜晶体管(100)中，连接有源层(104)和源极(106)/漏极(108)的保护层(110、112)包括掺杂浓度不同的至少两个子层(114)，如此，在设置保护层(110、112)的情况下，能够优化有源层(104)和源极(106)/漏极(108)之间的接触电阻，进而改善薄膜晶体管(100)的电学特性。

技术领域

本发明涉及于晶体管领域，更具体而言，涉及一种薄膜晶体管和薄膜晶体管的制备方法和阵列基板。

背景技术

在相关技术中，薄膜晶体管被广泛地用于阵列基板中，在薄膜晶体管的制备过程中，薄膜晶体管的有源层，在制备源极/漏极的步骤中，容易受到刻蚀液的刻蚀而破坏原来的电学特性。

为解决上述问题，相关技术中，在制备源极/漏极的步骤前，会在有源层上形成保护层以保护有源层。但是，保护层的设置会使得有源层与源极/漏极之间的电阻变大，不利于改善薄膜晶体管的电学特性。

发明内容

本发明实施方式旨在至少解决相关技术中存在的技术问题之一。为此，本发明实施方式需要提供一种薄膜晶体管和薄膜晶体管的制备方法和阵列基板。

本发明实施方式的一种薄膜晶体管，包括栅极、有源层、源极、漏极、第一保护层和第二保护层，所述第一保护层位于所述源极和所述有源层之间并连接所述源极和所述有源层，所述第二保护层位于所述漏极和所述有源层之间并连接所述漏极和所述有源层，所述第一保护层和所述第二保护层均包括层叠的至少两个子层，所述至少两个子层的掺杂浓度不相同。

上述薄膜晶体管中，连接有源层和源极/漏极的保护层包括掺杂浓度不同的至少两个子层，如此，在设置保护层的情况下，能够优化有源层和源极/漏极之间的接触电阻，进而改善薄膜晶体管的电学特性。

本发明实施方式的一种薄膜晶体管的制备方法，包括以下步骤：

形成栅极；

在所述栅极上形成有源层和在所述有源层上形成保护层，所述保护层包括层叠的至少两个子层，所述至少两个子层的掺杂浓度不相同；

在所述保护层上形成源极和漏极，所述源极和所述漏极间隔形成间隙；

自所述间隙刻蚀所述保护层以露出所述有源层并将所述保护层分隔成第一保护层和第二保护层，所述第一保护层位于所述源极和所述有源层之间并连接所述源极和所述有源层，所述第二保护层位于所述漏极和所述有源层之间并连接所述漏极和所述有源层。

本发明实施方式的一种阵列基板，包括上述的薄膜晶体管。

上述阵列基板中，连接有源层和源极/漏极的保护层包括掺杂浓度不同的至少两个子层，如此，在设置保护层的情况下，能够优化有源层和源极/漏极之间的接触电阻，进而改善薄膜晶体管的电学特性。

本发明实施方式的附加方面和优点将在下面的描述中部分给出，部分将从下面的描述中变得明显，或通过本发明实施方式的实践了解到。

附图说明

本发明实施方式的上述和/或附加的方面和优点从结合下面附图对实施方式的描述中将变得明显和容易理解，其中：

图1是本发明实施方式的薄膜晶体管的结构示意图；