[发明专利]薄膜晶体管和薄膜晶体管的制备方法和阵列基板

权利要求书

1.一种薄膜晶体管，其特征在于，包括栅极、有源层、源极、漏极、第一保护层和第二保护层，所述第一保护层位于所述源极和所述有源层之间并连接所述源极和所述有源层，所述第二保护层位于所述漏极和所述有源层之间并连接所述漏极和所述有源层，所述第一保护层和所述第二保护层均包括层叠的至少两个子层，所述至少两个子层的掺杂浓度不相同。

2.如权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述有源层的材料为铟镓锌氧化物，所述源极和所述漏极的材料为功函数较所述有源层高的金属或金属氧化物，所述至少两个子层的掺杂浓度沿所述源极和所述漏极至所述有源层的方向依次递增。

3.如权利要求2所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述子层的数量为7层，所述第一保护层和第二保护层的材料是非晶硅，掺杂的元素是磷，最顶层的所述子层与所述源极和所述漏极接触，最底层的所述子层与所述有源层接触。

4.如权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述有源层的材料为铟镓锌氧化物，所述源极和所述漏极的材料为功函数较所述有源层低的金属，所述至少两个子层的掺杂浓度沿所述源极和所述漏极至所述有源层的方向依次递减。

5.如权利要求4所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述子层的数量为7层，所述第一保护层和所述第二保护层的材料是非晶硅，掺杂的元素是磷，最顶层的所述子层与所述源极和所述漏极接触，最底层的所述子层与所述有源层接触。

6.如权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述有源层的材料为非晶硅，所述源极和所述漏极的材料为功函数较所述有源层高的金属或金属氧化物，所述至少两个子层的掺杂浓度沿所述源极和所述漏极至所述有源层的方向依次递减。

7.如权利要求6所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述子层的数量为7层，所述第一保护层和所述第二保护层的材料是非晶硅，掺杂的元素是硼，最顶层的所述子层与所述源极和所述漏极接触，最底层的所述子层与所述有源层接触。

8.如权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述有源层的材料为非晶硅，所述源极和所述漏极的材料为功函数较所述有源层低的金属，所述至少两个子层的掺杂浓度沿所述源极和所述漏极至所述有源层的方向依次递减。

9.如权利要求8所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述子层的数量为7层，所述第一保护层和所述第二保护层的材料是非晶硅，掺杂的元素是磷，最顶层的所述子层与所述源极和所述漏极接触，最底层的所述子层与所述有源层接触。

10.如权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述至少两个子层的掺杂浓度小于1×1020cm-3。

11.如权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述薄膜晶体管还包括钝化层和电极层，所述钝化层覆盖所述源极、所述漏极和所述有源层，所述钝化层设有露出所述漏极的通孔，所述电极层设置在所述钝化层上，所述电极层通过所述通孔连接所述漏极。

12.一种薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

形成栅极；

在所述栅极上形成有源层和在所述有源层上形成保护层，所述保护层包括层叠的至少两个子层，所述至少两个子层的掺杂浓度不相同；

在所述保护层上形成源极和漏极，所述源极和所述漏极间隔形成间隙；

自所述间隙刻蚀所述保护层以露出所述有源层并将所述保护层分隔成第一保护层和第二保护层，所述第一保护层位于所述源极和所述有源层之间并连接所述源极和所述有源层，所述第二保护层位于所述漏极和所述有源层之间并连接所述漏极和所述有源层。

13.如权利要求12所述的薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，所述保护层通过沉积的方法形成在所述有源层上。