[发明专利]具有反射体的处理腔室在审
| 申请号： | 201680029627.7 | 申请日： | 2016-05-05 |
| 公开（公告）号： | CN107660238A | 公开（公告）日： | 2018-02-02 |
| 发明（设计）人： | 刘树坤;苏拉吉特·库马尔;卡尔蒂克·萨哈;穆罕默德·图格鲁利·萨米尔 | 申请（专利权）人： | 应用材料公司 |
| 主分类号： | C23C16/48 | 分类号： | C23C16/48;C30B25/08;C30B25/10 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司11006 | 代理人： | 徐金国,赵静 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提供一种用于处理半导体基板的反射体。反射体包括环形主体，所述环形主体具有外边缘、内边缘与底侧。底侧包含多个第一表面与多个第二表面。每个第一表面与每个第二表面定位于环绕环形主体的不同角位置处。每个第一表面是曲面，所述曲面具有约1.50英吋至约2.20英吋的曲率半径。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 反射 处理 | ||
【主权项】：
一种用于处理半导体基板的反射体，所述反射体包括：环形主体，所述环形主体具有外边缘、内边缘与底侧，所述底侧包含多个第一表面与多个第二表面，其中每个第一表面与每个第二表面定位于环绕所述环形主体的不同角位置处；及每个第一表面是曲面，所述曲面具有约1.50英吋至约2.20英吋的曲率半径。
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
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C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
