[发明专利]碳化硅单晶衬底、碳化硅半导体器件以及制造碳化硅半导体器件的方法有效

申请号：	201680021148.0	申请日：	2016-01-21
公开（公告）号：	CN107532327B	公开（公告）日：	2019-12-17
发明（设计）人：	本家翼;冲田恭子	申请（专利权）人：	住友电气工业株式会社
主分类号：	H01L21/20	分类号：	H01L21/20;H01L21/304;H01L21/265;C30B29/36
代理公司：	11219 中原信达知识产权代理有限责任公司	代理人：	李兰;孙志湧
地址：	日本大阪***	国省代码：	日本;JP
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摘要：	提供一种碳化硅单晶衬底(10)，具有第一主表面(10a)以及与第一主表面(10a)相反的第二主表面(10b)。第一主表面(10a)包括中心正方形区域(1)以及外部正方形区域(2)。当从厚度方向(TD)观察时，中心正方形区域(1)以及外部正方形区域(2)中的每一个都具有15mm长度的边。第一主表面(10a)具有不小于100mm的最大直径(W)。碳化硅单晶衬底(10)具有不大于5μm的TTV。由中心正方形区域(1)中的LTIR除以中心正方形区域(1)中的LTV而获得的值不小于0.8且不大于1.2。由外部正方形区域(2)中的LTV除以中心正方形区域(1)中的LTV而获得的值不小于1且不大于3。提供一种碳化硅单晶衬底，碳化硅半导体器件以及制造碳化硅半导体器件的方法，以便实现光刻工艺中掩模图案的位置偏离的抑制。
搜索关键词：	碳化硅衬底半导体器件以及制造方法
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【主权项】：

1.一种碳化硅单晶衬底，包括第一主表面以及与所述第一主表面相反的第二主表面，/n所述第一主表面包括：/n中心正方形区域，所述中心正方形区域由下述正方形围绕，该正方形具有与在所述第一主表面和穿过所述碳化硅单晶衬底的重心且平行于所述碳化硅单晶衬底的厚度方向的直线之间的交点相对应的中心，以及/n外部正方形区域，所述外部正方形区域由下述正方形围绕，该正方形具有平行于下述直线的边并且具有与朝向所述交点从特定位置离开10.5mm的位置相对应的中心，所述直线垂直于将所述交点连接至所述第一主表面的外边缘上的所述特定位置的直线，/n当从所述厚度方向观察时，所述中心正方形区域以及所述外部正方形区域中的每一个都具有15mm的长度的边，/n所述第一主表面具有不小于100mm的最大直径，/n所述碳化硅单晶衬底具有不大于5μm的TTV，/n由所述中心正方形区域中的LTIR除以所述中心正方形区域中的LTV而获得的值不小于0.8且不大于1.2，/n由所述外部正方形区域中的所述LTV除以所述中心正方形区域中的LTV而获得的值不小于1且不大于3，/n其中，TTV表示总厚度变化，LTIR表示局部总指示读数，LTV表示局部厚度变化。/n

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专利分类

H 电学

H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造

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