[发明专利]选择性元件、存储器胞元和存储装置有效
| 申请号： | 201680008329.X | 申请日： | 2016-01-08 |
| 公开（公告）号： | CN107210302B | 公开（公告）日： | 2021-06-15 |
| 发明（设计）人： | 大场和博;五十岚实 | 申请（专利权）人： | 索尼公司 |
| 主分类号： | H01L27/105 | 分类号： | H01L27/105;H01L21/8246;H01L45/00;H01L49/00;H01L49/02 |
| 代理公司： | 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 | 代理人： | 李颖 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种选择性装置包含第一电极、第二电极、开关装置和非线性电阻性装置。第二电极被设置成面向第一电极。开关装置设置在第一电极与第二电极之间。非线性电阻性装置含有硼(B)、硅(Si)和碳(C)中的一种或更多种。非线性电阻性装置串联耦接到开关装置。 | ||
| 搜索关键词： | 选择性 元件 存储器 存储 装置 | ||
【主权项】：
一种选择性装置，包括：第一电极；第二电极，被设置成面向所述第一电极；开关装置，设置在所述第一电极与所述第二电极之间；以及非线性电阻性装置，含有硼(B)、硅(Si)和碳(C)中的一种或更多种，所述非线性电阻性装置串联耦接到所述开关装置。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
