[发明专利]基板处理方法以及基板处理装置有效
| 申请号： | 201680005004.6 | 申请日： | 2016-03-15 |
| 公开（公告）号： | CN107210213B | 公开（公告）日： | 2020-08-25 |
| 发明（设计）人： | 清水大介;小林健司 | 申请（专利权）人： | 株式会社斯库林集团 |
| 主分类号： | H01L21/304 | 分类号： | H01L21/304;G03F7/20;H01L21/027;H01L21/306 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 向勇;宋晓宝 |
| 地址： | 日本京都*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供能够良好地除去附着在基板上表面的颗粒物等的基板处理方法以及执行该方法的基板处理装置。依次执行：水池形成工序S3，在基板W的上表面形成冲洗液的液膜F；接触工序S4，使具有形成有多个空隙部135的网构件134的构件13与液膜F接触；颗粒物捕捉工序S5，利用在冲洗液、环境气体A以及构件13的网构件134的内缘相交的三相界面产生的界面自由能，在该冲洗液的液膜F内产生对流，从而使网构件134的侧面134b捕捉颗粒物。 | ||
| 搜索关键词： | 处理 方法 以及 装置 | ||
【主权项】：
一种基板处理方法，其中，包括：处理液供给工序，在以将一主表面朝向上方的方式支撑所述基板的状态下，向所述基板的所述一主表面供给处理液；液膜保持工序，将处理液的液膜保持在所述基板的所述一主表面上；接触工序，使具有设有多个第一开口的一面和设有与所述多个第一开口连通的一个以上的第二开口的另一面的构件中的所述一面与所述液膜的上表面接触。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社斯库林集团，未经株式会社斯库林集团许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201680005004.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种DP连接器外模开口结构
- 下一篇：一种通过微波感应实现辅助照明的墙壁开关
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
