[发明专利]基板处理方法以及基板处理装置有效
申请号: | 201680005004.6 | 申请日: | 2016-03-15 |
公开(公告)号: | CN107210213B | 公开(公告)日: | 2020-08-25 |
发明(设计)人: | 清水大介;小林健司 | 申请(专利权)人: | 株式会社斯库林集团 |
主分类号: | H01L21/304 | 分类号: | H01L21/304;G03F7/20;H01L21/027;H01L21/306 |
代理公司: | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人: | 向勇;宋晓宝 |
地址: | 日本京都*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 处理 方法 以及 装置 | ||
1.一种基板处理方法,其中,
包括:
处理液供给工序,在以一主表面朝向上方的方式支撑所述基板的状态下,向所述基板的所述一主表面供给处理液;
液膜保持工序,将处理液的液膜保持在所述基板的所述一主表面上;
接触工序,使具有设有多个第一开口的一面和设有与所述多个第一开口连通的一个以上的第二开口的另一面的构件中的所述一面与所述液膜的上表面接触,
所述构件为设有沿厚度方向贯通的多个通孔的平板状或具有沿厚度方向连通的多个空隙部的网状,
在所述接触工序中,所述液膜的所述上表面在所述构件的多个所述通孔或多个所述空隙部,向执行基板处理的空间的环境气体露出。
2.如权利要求1所述的基板处理方法,其中,
在所述接触工序中,所述多个第一开口中的两个以上的第一开口与所述液膜的上表面接触。
3.如权利要求1所述的基板处理方法,其中,
在所述接触工序中,根据所述液膜的厚度来调整所述构件的高度位置。
4.一种基板处理方法,其中,
包括:
处理液供给工序,在以一主表面朝向上方的方式支撑所述基板的状态下,向所述基板的所述一主表面供给处理液;
液膜保持工序,将处理液的液膜保持在所述基板的所述一主表面上;
接触工序,使具有设有多个第一开口的一面和设有与所述多个第一开口连通的一个以上的第二开口的另一面的构件中的所述一面与所述液膜的上表面接触,
在所述接触工序中,对所述构件进行加热。
5.一种基板处理装置,其中,
具备:
基板支撑部,以一主表面朝向上方的方式支撑所述基板;
处理液供给部,向由所述基板支撑部支撑的所述基板的所述一主表面供给处理液;
构件,具有设有多个第一开口的一面和设有与所述多个第一开口连通的一个以上的第二开口的另一面;
构件移动部,使所述构件移动;
控制部,控制所述处理液供给部在所述一主表面形成所述处理液的液膜,控制所述构件移动部使所述构件的一面与所述液膜的上表面接触,
所述构件为设有沿厚度方向贯通的多个通孔的平板状或具有沿厚度方向连通的多个空隙部的网状,
在使所述构件的一面与所述液膜的所述上表面接触的状态下,所述液膜的所述上表面在所述构件的多个所述通孔或多个所述空隙部,向执行基板处理的空间的环境气体露出。
6.如权利要求5所述的基板处理装置,其中,
还具备清洗所述构件的构件清洗部。
7.一种基板处理装置,其中,
具备:
基板支撑部,以一主表面朝向上方的方式支撑所述基板;
处理液供给部,向由所述基板支撑部支撑的所述基板的所述一主表面供给处理液;
构件,具有设有多个第一开口的一面和设有与所述多个第一开口连通的一个以上的第二开口的另一面;
构件移动部,使所述构件移动;
控制部,控制所述处理液供给部在所述一主表面形成所述处理液的液膜,控制所述构件移动部使所述构件的一面与所述液膜的上表面接触,
施加部,向所述构件施加电压,
所述构件包括响应于电压的施加而发热的发热体,
在使所述构件的一面与所述液膜的所述上表面接触的状态下,所述施加部向所述构件施加电压。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造