[发明专利]半导体加工用片材有效
| 申请号： | 201680003252.7 | 申请日： | 2016-02-26 |
| 公开（公告）号： | CN107078039B | 公开（公告）日： | 2020-11-10 |
| 发明（设计）人： | 山下茂之 | 申请（专利权）人： | 琳得科株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/683 | 分类号： | H01L21/683;H01L21/67;C09J7/20 |
| 代理公司： | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人： | 张晶;谢顺星 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明的半导体加工用片材(1)具备基材(2)及层叠于基材(2)的至少一面侧的粘着剂层(3)，其中，粘着剂层(3)由粘着剂组合物形成，所述粘着剂组合物含有：聚合物，具有盐及能量射线固化性基团；及能量射线固化性粘着成分(除上述聚合物以外)，粘着剂组合物将含有具有醚键的结构单元及能量射线固化性基团的化合物作为能量射线固化性粘着成分的一个成分而含有，或者含有具有醚键的结构单元作为聚合物的侧链。该种半导体加工用片材(1)能够发挥充分的抗静电性，并且在照射能量射线之后进行剥离时抑制被粘物的污染。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 工用 | ||
【主权项】：
一种半导体加工用片材，其具备基材、及层叠于所述基材的至少一面侧的粘着剂层，其特征在于，所述粘着剂层由粘着剂组合物形成，所述粘着剂组合物含有：聚合物，该聚合物具有盐及能量射线固化性基团；及与所述聚合物不同的能量射线固化性粘着成分，所述粘着剂组合物将含有具有醚键的结构单元及能量射线固化性基团的化合物作为能量射线固化性粘着成分的一个成分而含有，或者含有具有醚键的结构单元作为所述聚合物的侧链。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
