[发明专利]半导体装置及电子设备在审
申请号: | 201680003094.5 | 申请日: | 2016-10-18 |
公开(公告)号: | CN107077639A | 公开(公告)日: | 2017-08-18 |
发明(设计)人: | 黑川义元 | 申请(专利权)人: | 株式会社半导体能源研究所 |
主分类号: | G06N3/063 | 分类号: | G06N3/063 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所11038 | 代理人: | 申发振 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 神经元电路能够切换两个功能作为输入神经元电路的功能及作为隐藏神经元电路的功能。误差电路能够切换两个功能作为隐藏误差电路的功能及作为输出神经元电路的功能。开关电路构成为能够改变神经元电路、突触电路及误差电路之间的连接。突触电路包括储存对应于输入神经元电路与隐藏神经元电路之间或者隐藏神经元电路与输出神经元电路之间的连接强度的数据的模拟存储器、改变模拟存储器内的数据的写入电路以及根据模拟存储器的数据对输入信号进行加权且输出该被加权的输出信号的加权电路。模拟存储器包括关态电流极低的包含氧化物半导体的晶体管。 | ||
搜索关键词: | 半导体 装置 电子设备 | ||
【主权项】:
一种模块,包括:第一电路;第二电路;以及第三电路,其中,所述第一电路具有放大第一信号且将所述被放大的第一信号输出到所述第二电路的第一功能以及将所述第一信号从电流转换为电压、放大所述被转换的第一信号而且将所述被放大的第一信号输出到其他的模块的第二功能,所述第二电路包括构成为改变对应于所述第一电路之间的连接强度的数据的第一乘法电路、构成为储存所述被改变的数据的模拟存储器以及构成为输出第二信号的第二乘法电路,该第二信号对应于根据所述被改变的数据进行加权的所述被放大的第一信号,所述第三电路构成为将所述第二信号从电流转换为电压且将所述被转换的第二信号输出到外部,并且,所述模拟存储器包括在沟道形成区中包含氧化物半导体的晶体管。
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