[实用新型]一种基于半导体增益和石墨烯的SPP装置有效
| 申请号： | 201621450815.0 | 申请日： | 2016-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN206594323U | 公开（公告）日： | 2017-10-27 |
| 发明（设计）人： | 秦柳丽;朱君;傅得立 | 申请（专利权）人： | 广西师范大学 |
| 主分类号： | G02B5/00 | 分类号： | G02B5/00;G02B6/122 |
| 代理公司： | 桂林市华杰专利商标事务所有限责任公司45112 | 代理人： | 刘梅芳 |
| 地址： | 541004 广西壮*** | 国省代码： | 广西;45 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种基于半导体增益和石墨烯的SPP装置，其特征是，包括顺序叠接的底层石墨烯层、半导体增益层、缓冲层和顶层石墨烯层，所述的半导体增益层为T型波导结构，T型波导结构的两侧为对称的、结构和大小相同的第一长方体和第二长方体。这种装置能够提供更强的局域化约束，具备为表面等离子激励电路提供光源，且能够与多种纳米光子、电子器件兼容，能为低阈值纳米激光器等高密度光子集成器件的发展提供一个新的原型器件、能为表面等离子领域提供高性能的微腔和可集成的器件。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 半导体 增益 石墨 spp 装置 | ||
【主权项】：
一种基于半导体增益和石墨烯的SPP装置，其特征是，包括顺序叠接的底层石墨烯层、半导体增益层、缓冲层和顶层石墨烯层，所述的半导体增益层为T型波导结构，T型波导结构的两侧为对称的、结构和大小相同的第一长方体和第二长方体。
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