[实用新型]通过电荷工程实现的弱极化HEMT器件有效
| 申请号： | 201621264822.1 | 申请日： | 2016-11-24 |
| 公开（公告）号： | CN206364018U | 公开（公告）日： | 2017-07-28 |
| 发明（设计）人： | 张志利;张宝顺;蔡勇;李维毅;付凯;于国浩;孙世闯;宋亮 | 申请（专利权）人： | 苏州能屋电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778 |
| 代理公司： | 南京利丰知识产权代理事务所(特殊普通合伙)32256 | 代理人： | 王锋 |
| 地址： | 215000 江苏省苏州市工业*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种通过电荷工程实现的弱极化HEMT器件，其包括异质结构以及与异质结构配合的栅电极、源电极和漏电极，所述异质结构包括沟道层和势垒层，所述源电极和漏电极通过所述异质结构中的二维电子气电连接，所述势垒层为铝组分含量在20％以下的低铝组分势垒层，并且在所述势垒层上或者在所述势垒层中还形成有能够在所述异质结构中感应出足够浓度的二维电子气的空间电荷区。本实用新型通过改善器件的外延结构，利用电荷工程在异质结构中实现高密度的二维电子气，可避免或降低势垒层与沟道层的晶格失配，有效提高器件的可靠性和阈值电压的稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 通过 电荷 工程 实现 极化 hemt 器件 | ||
【主权项】：
一种通过电荷工程实现的弱极化HEMT器件，其特征在于包括异质结构以及与异质结构配合的栅电极、源电极和漏电极，所述异质结构包括沟道层和势垒层，所述源电极和漏电极通过所述异质结构中的二维电子气电连接，所述势垒层为低铝组分势垒层，并且在所述势垒层上或者在所述势垒层中还形成有能够在所述异质结构中感应出足够浓度的二维电子气的空间电荷区。
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