[实用新型]包括硅通孔的芯片有效
| 申请号： | 201621249793.1 | 申请日： | 2016-11-22 |
| 公开（公告）号： | CN206697466U | 公开（公告）日： | 2017-12-01 |
| 发明（设计）人： | 宋红林;王志健;杨志刚;张志强 | 申请（专利权）人： | 武汉光谷创元电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L21/265 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司72001 | 代理人： | 刘林华 |
| 地址： | 430070 湖北省武汉市*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及包括硅通孔的芯片。一种芯片包括硅晶片和设置于硅晶片中的通孔，在通孔的孔壁上从内到外依次覆盖有由绝缘材料组成的绝缘层、扩散阻挡层、籽晶层和导体层，其中扩散阻挡层包括由绝缘材料和第一注入材料组成的第一离子注入层、以及紧邻籽晶层且由第一沉积材料组成的第一沉积层，籽晶层包括由第一沉积材料和第二注入材料组成的第二离子注入层。 | ||
| 搜索关键词： | 包括 硅通孔 芯片 | ||
【主权项】：
一种芯片，包括硅晶片和设置于所述硅晶片中的通孔，在所述通孔的孔壁上从内到外依次覆盖有由绝缘材料组成的绝缘层、扩散阻挡层、籽晶层和导体层，其中所述扩散阻挡层包括由所述绝缘材料和第一注入材料组成的第一离子注入层、以及紧邻所述籽晶层且由第一沉积材料组成的第一沉积层，所述籽晶层包括由所述第一沉积材料和第二注入材料组成的第二离子注入层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
