[实用新型]包括硅通孔的芯片

权利要求书

1.一种芯片，包括硅晶片和设置于所述硅晶片中的通孔，在所述通孔的孔壁上从内到外依次覆盖有由绝缘材料组成的绝缘层、扩散阻挡层、籽晶层和导体层，其中所述扩散阻挡层包括由所述绝缘材料和第一注入材料组成的第一离子注入层、以及紧邻所述籽晶层且由第一沉积材料组成的第一沉积层，所述籽晶层包括由所述第一沉积材料和第二注入材料组成的第二离子注入层。

2.根据权利要求1所述的芯片，其特征在于，所述硅晶片包括单块硅晶片或层叠在一起的多块硅晶片，各硅晶片的厚度为10-40μm。

3.根据权利要求1所述的芯片，其特征在于，所述第一离子注入层是由所述绝缘材料和所述第一注入材料组成的掺杂结构，并具有1-100nm的厚度；所述第二离子注入层是由所述第一沉积材料和所述第二注入材料组成的掺杂结构，并具有1-100nm的厚度。

4.根据权利要求1至3中的任何一项所述的芯片，其特征在于，所述第一沉积层附着于所述第一离子注入层上并包括等离子体沉积层或溅射沉积层，所述第一沉积材料与所述第一注入材料相同。

5.根据权利要求1至3中的任何一项所述的芯片，其特征在于，所述籽晶层还包括位于所述第二离子注入层的上方且由第二沉积材料组成的第二沉积层。

6.根据权利要求5所述的芯片，其特征在于，所述第二沉积层包括等离子体沉积层或溅射沉积层，并且所述第二沉积材料与所述第二注入材料相同。

7.根据权利要求1至3中的任何一项所述的芯片，其特征在于，所述导体层具有0.1-100μm的厚度或者填满所述通孔。

8.根据权利要求1至3中的任何一项所述的芯片，其特征在于，所述绝缘层由SiO₂组成，所述导体层由Cu组成。