[实用新型]整合原子层沉积以及反应性离子蚀刻的系统有效
| 申请号： | 201621051978.1 | 申请日： | 2016-09-13 |
| 公开（公告）号： | CN206274508U | 公开（公告）日： | 2017-06-23 |
| 发明（设计）人： | 杨楷;白尚永 | 申请（专利权）人： | 铠柏科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;C23C16/455 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司11240 | 代理人： | 梁丽超,陈鹏 |
| 地址： | 中国*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本实用新型提供一种整合原子层沉积以及反应性离子蚀刻的系统，其包含一反应装置以及一样品移动装置，反应装置包含一第一反应腔体以及与所述第一反应腔体相互连接的一第二反应腔体，而样品移动装置设置在所述反应装置内，其中一样品通过所述样品移动装置的控制，以移动至所述第一反应腔体内进行原子层沉积或是移动至所述第二反应腔体内进行反应性离子蚀刻。本实用新型通过结合用于进行原子层沉积技术的系统以及用于进行反应性离子蚀刻技术的系统，可以有效节省制造时间，并大幅降低设备成本。 | ||
| 搜索关键词： | 整合 原子 沉积 以及 反应 离子 蚀刻 系统 | ||
【主权项】：
一种整合原子层沉积以及反应性离子蚀刻的系统，其特征在于，所述整合原子层沉积以及反应性离子蚀刻的系统包含：一反应装置，包含一第一反应腔体以及与所述第一反应腔体相互连接的一第二反应腔体；以及一样品移动装置，设置在所述反应装置内，其中，一样品通过所述样品移动装置的控制，以移动至所述第一反应腔体内进行原子层沉积或是移动至所述第二反应腔体内进行反应性离子蚀刻。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
