[实用新型]整合原子层沉积以及反应性离子蚀刻的系统有效
申请号: | 201621051978.1 | 申请日: | 2016-09-13 |
公开(公告)号: | CN206274508U | 公开(公告)日: | 2017-06-23 |
发明(设计)人: | 杨楷;白尚永 | 申请(专利权)人: | 铠柏科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;C23C16/455 |
代理公司: | 北京康信知识产权代理有限责任公司11240 | 代理人: | 梁丽超,陈鹏 |
地址: | 中国*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 整合 原子 沉积 以及 反应 离子 蚀刻 系统 | ||
1.一种整合原子层沉积以及反应性离子蚀刻的系统,其特征在于,所述整合原子层沉积以及反应性离子蚀刻的系统包含:
一反应装置,包含一第一反应腔体以及与所述第一反应腔体相互连接的一第二反应腔体;以及
一样品移动装置,设置在所述反应装置内,其中,一样品通过所述样品移动装置的控制,以移动至所述第一反应腔体内进行原子层沉积或是移动至所述第二反应腔体内进行反应性离子蚀刻。
2.根据权利要求1所述的整合原子层沉积以及反应性离子蚀刻的系统,其特征在于,所述样品移动装置包含用以承载所述样品的一承载台以及与所述承载台相连接的一移动机构。
3.根据权利要求2所述的整合原子层沉积以及反应性离子蚀刻的系统,其特征在于,当所述样品通过所述样品移动装置的控制,以移动至所述第一反应腔体内进行原子层沉积时,承载有所述样品的所述承载台位于所述第一反应腔体内,且所述第一反应腔体与所述第二反应腔体相互连通。
4.根据权利要求2所述的整合原子层沉积以及反应性离子蚀刻的系统,其特征在于,当所述样品通过所述样品移动装置的控制,以移动至所述第二反应腔体内进行反应性离子蚀刻时,承载有所述样品的所述承载台位于所述第二反应腔体内,且所述承载台将所述第一反应腔体与所述第二反应腔体相互隔绝而互不连通。
5.根据权利要求1所述的整合原子层沉积以及反应性离子蚀刻的系统,其特征在于,所述反应装置还包含一连通至所述第一反应腔体的第一进气管路以及一连通至所述第二反应腔体的第二进气管路,一原子层沉积气体通过所述第一进气管路以输入至所述第一反应腔体,且一反应性离子蚀刻气体通过所述第二进气管路以输入至所述第二反应腔体。
6.根据权利要求5所述的整合原子层沉积以及反应性离子蚀刻的系统,其特征在于,所述反应装置具有一设置在所述第二反应腔体的外部的电浆产生器,以用于在进行反应性离子蚀刻时将所述反应性离子蚀刻气体转换为一电浆,或是用于在进行原子层沉积时进一步进行电浆辅助原子层沉积。
7.根据权利要求1所述的整合原子层沉积以及反应性离子蚀刻的系统,其特征在于,所述反应装置还包含一设置在所述第一反应腔体内的加热器,以用于在进行原子层沉积时对所述样品进行加热。
8.根据权利要求1所述的整合原子层沉积以及反应性离子蚀刻的系统,其特征在于,所述样品移动装置还包含一冷却管路,以用于在进行反应性离子蚀刻时对所述样品进行冷却。
9.根据权利要求1所述的整合原子层沉积以及反应性离子蚀刻的系统,其特征在于,所述样品移动装置还包含一射频偏压电缆,以用于施加给所述样品一射频电源或一偏压。
10.根据权利要求1所述的整合原子层沉积以及反应性离子蚀刻的系统,其特征在于,所述反应装置还包括一排气管路,以用于控制所述反应装置的所述第一反应腔体以及所述第二反应腔体的内部压力。
11.根据权利要求1所述的整合原子层沉积以及反应性离子蚀刻的系统,其特征在于,所述反应装置还包含一局部加热器,以用于在进行所述原子层化学沉积或是所述反应性离子蚀刻之前对所述样品进行局部加热。
12.根据权利要求11所述的整合原子层沉积以及反应性离子蚀刻的系统,其特征在于,所述局部加热器产生一聚焦型电子束或一激光,以对所述样品进行局部加热。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造