[实用新型]一种新型芯片结构有效

专利信息
申请号: 201620997668.2 申请日: 2016-08-29
公开(公告)号: CN205944069U 公开(公告)日: 2017-02-08
发明(设计)人: 沈琴;夏辉;吴迪;张辉 申请(专利权)人: 无锡奥利芯电子科技有限公司
主分类号: H01L23/31 分类号: H01L23/31;H01L23/367
代理公司: 北京科亿知识产权代理事务所(普通合伙)11350 代理人: 汤东凤
地址: 214000 江苏省*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 实用新型公开了一种新型芯片结构,包括绝缘金属基板,所述绝缘金属基板的上表面设有焊料层,所述焊料层的上端焊接有印刷电路板,所述印刷电路板包括基板,所述基板上设有芯片,所述芯片包括P电极,所述P电极的下端设有硅板,所述硅板的下端设有焊接金属层,所述焊接金属层的下端设有欧姆接触层,所述欧姆接触层的下端设有电极材料填充层,所述电极材料填充层的外侧壁设有钝化层。本实用新型结构简单,设计巧妙,使用方便,采用倒装技术,在增大了热传导的作用外,也同时在一定程度上起到了连接和支撑的作用,并且不改变芯片的尺寸,在提高生产芯片效率、降低生产芯片成本、具有良好散热效果的同时,也保证了芯片的稳定性。
搜索关键词: 一种 新型 芯片 结构
【主权项】:
一种新型芯片结构,包括绝缘金属基板(1),其特征在于:所述绝缘金属基板(1)的上表面设有焊料层(2),所述焊料层(2)的两端均设有焊接点(21),所述焊料层(2)的上端焊接有印刷电路板(3),所述印刷电路板(3)包括基板(4),所述基板(4)上设有芯片(5),所述芯片(5)包括P电极(51),所述P电极(51)的下端设有硅板(52),所述硅板(52)的下端设有焊接金属层(53),所述焊接金属层(53)的下端设有欧姆接触层(54),所述欧姆接触层(54)的下端设有电极材料填充层(55),所述电极材料填充层(55)由上至下依次为P‑GaN填充层(551)、MQW填充层(552)和N‑GaN填充层(553),所述电极材料填充层(55)的下端安装有N电极(56),所述电极材料填充层(55)的外侧壁设有钝化层(57)。
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