[实用新型]静电放电装置

摘要

在一个实施例中，公开了一种静电放电(ESD)装置，包括第一导电类型的半导体衬底；第一导电类型的第一半导体区域；第二导电类型的第一掺杂区域，其中第一掺杂区域和第一半导体区域一起形成齐纳二极管；第二导电类型的第二半导体区域，第二半导体区域设置在第一半导体区域的一部分上以及设置在第一掺杂区域的一部分上，其中第二半导体区域的峰值掺杂浓度小于半导体衬底的峰值掺杂浓度；还包括第一导电类型的第二掺杂区域、第二导电类型的第三掺杂区域，第一导电类型的第四掺杂区域、第一隔离沟槽，其中第一隔离沟槽围绕第二掺杂区域的外周界和第一掺杂区域的至少一部分，并且其中第一隔离沟槽不围绕第三掺杂区域和第四掺杂区域。

主权项

一种静电放电装置，其特征在于：所述静电放电装置装置包括：第一导电类型的半导体衬底；所述第一导电类型的第一半导体区域，其中所述第一半导体区域基本上覆盖所述半导体衬底的全部；第二导电类型的第一掺杂区域，其中所述第一掺杂区域和所述第一半导体区域一起形成齐纳二极管；所述第二导电类型的第二半导体区域，所述第二半导体区域设置在所述第一半导体区域的一部分上以及没置在所述第一掺杂区域的一部分上，其中所述第二半导体区域的峰值掺杂浓度小于所述半导体衬底的峰值掺杂浓度；所述第一导电类型的第二掺杂区域，所述第二掺杂区域设置在所述第二半导体区域中并覆于所述第一掺杂区域上，其中所述第二掺杂区域与所述第一半导体区域隔开至少两微米；所述第二导电类型的第三掺杂区域，所述第三掺杂区域设置在所述第二半导体区域中并覆于所述第一半导体区域上，其中所述第三掺杂区域与所述第一半导体区域隔开至少两微米；所述第一导电类型的第四掺杂区域，所述第四掺杂区域设置在所述第二半导体区域中并覆于所述第三掺杂区域上，其中所述第三掺杂区域、所述第四掺杂区域与所述第一半导体区域一起形成P‑N‑P结；以及第一隔离沟槽，所述第一隔离沟槽从所述第二半导体区域的顶面延伸并进入所述第一半导体区域，其中所述第一隔离沟槽围绕所述第二掺杂区域的外周界和所述第一掺杂区域的至少一部分，并且其中所述第一隔离沟槽不围绕所述第三掺杂区域和所述第四掺杂区域。