[实用新型]提升散热性能的整流桥器件

摘要

本实用新型一种提升散热性能的整流桥器件，包括由环氧封装体包覆的第一、第二、第三、第四二极管芯片、第一L形连接片、第二L形连接片、第一条形连接片和第二条形连接片，第一、第二二极管芯片位于第一L形连接片的支撑区，第三、第四二极管芯片位于第二L形连接片的支撑区，第一条形连接片连接第一、第三二极管芯片，第二条形连接片连接第二、第四二极管芯片；正极输入端、负极输出端、第一交流输入端和第二交流输入端均裸露出环氧封装体外表面；所述环氧封装体具有四个凹陷区，此四个凹陷区分别位于第一、第二、第三、第四二极管芯片正上方。本实用新型整流桥器件局部减薄设计，兼顾了避免本体变形与节省环氧，本体局部减薄，有利于内部芯片散热。

主权项

一种提升散热性能的整流桥器件，其特征在于：包括：由环氧封装体（1）包覆的第一、第二、第三、第四二极管芯片（2、3、4、5）、第一L形连接片（6）、第二L形连接片（7）、第一条形连接片（8）和第二条形连接片（9），第一、第二二极管芯片（2、3）位于第一L形连接片（6）的支撑区，第三、第四二极管芯片（4、5）位于第二L形连接片（7）的支撑区，第一条形连接片（8）连接第一、第三二极管芯片（2、4），第二条形连接片（9）连接第二、第四二极管芯片（3、5）；位于第一L形连接片（6）、第二L形连接片（7）、第一条形连接片（8）和第二条形连接片（9）各自末端的引脚区分别作为正极输入端（61）、负极输出端（71）、第一交流输入端（81）和第二交流输入端（91），此正极输入端（61）、负极输出端（71）、第一交流输入端（81）和第二交流输入端（82）均裸露出环氧封装体（1）外表面；所述环氧封装体（1）具有四个凹陷区，此四个凹陷区分别位于第一、第二、第三、第四二极管芯片（2、3、4、5）正上方。