[实用新型]半导体开关有效
| 申请号： | 201620652773.2 | 申请日： | 2016-06-27 |
| 公开（公告）号： | CN205692833U | 公开（公告）日： | 2016-11-16 |
| 发明（设计）人： | 赵恩海;董维胜;宋佩;邹庆华;谭婷 | 申请（专利权）人： | 盐城市惠众新能源科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/417;H01L29/423;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京英赛嘉华知识产权代理有限责任公司 11204 | 代理人： | 王达佐;马晓亚 |
| 地址： | 224045 江苏省盐*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种半导体开关。其中，半导体开关的一实施例包括衬底层；第一掺杂区、第二掺杂区和第三掺杂区，其中，所述第一掺杂区、所述第二掺杂区和所述第三掺杂区间隔扩散在所述衬底层，且所述衬底层的表面暴露出所述第一掺杂区、所述第二掺杂区和所述第三掺杂区，当所述衬底层为P型半导体时，所述第一掺杂区、所述第二掺杂区和所述第三掺杂区为N型半导体，当所述衬底层为N型半导体时，所述第一掺杂区、所述第二掺杂区和所述第三掺杂区为P型半导体；第一氧化区，位于间隔所述第一掺杂区和所述第二掺杂区的所述衬底层的表面，连接所述第一掺杂区和所述第二掺杂区；第二氧化区，位于间隔所述第二掺杂区和所述第三掺杂区的所述衬底层的表面，连接所述第二掺杂区和所述第三掺杂区；栅电极，由位于所述第一氧化区上的第一栅电极和位于所述第二氧化区上的第二栅电极连接而成；第一漏电极，与所述第一掺杂区连接；第二漏电极，和所述第三掺杂区连接；源电极，与所述第二掺杂区和所述衬底层连接。按照本申请的方案，能够控制电流双向流动。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 开关 | ||
【主权项】：
一种半导体开关，其特征在于，包括：衬底层；第一掺杂区、第二掺杂区和第三掺杂区，其中，所述第一掺杂区、所述第二掺杂区和所述第三掺杂区间隔扩散在所述衬底层，且所述衬底层的表面暴露出所述第一掺杂区、所述第二掺杂区和所述第三掺杂区，当所述衬底层为P型半导体时，所述第一掺杂区、所述第二掺杂区和所述第三掺杂区为N型半导体，当所述衬底层为N型半导体时，所述第一掺杂区、所述第二掺杂区和所述第三掺杂区为P型半导体；第一氧化区，位于间隔所述第一掺杂区和所述第二掺杂区的所述衬底层的表面，连接所述第一掺杂区和所述第二掺杂区；第二氧化区，位于间隔所述第二掺杂区和所述第三掺杂区的所述衬底层的表面，连接所述第二掺杂区和所述第三掺杂区；栅电极，由位于所述第一氧化区上的第一栅电极和位于所述第二氧化区上的第二栅电极连接而成；第一漏电极，与所述第一掺杂区连接；第二漏电极，和所述第三掺杂区连接；源电极，与所述第二掺杂区和所述衬底层连接。
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