[实用新型]采用微热电发电机的3D芯片有效
| 申请号： | 201620509927.2 | 申请日： | 2016-05-31 |
| 公开（公告）号： | CN205789932U | 公开（公告）日： | 2016-12-07 |
| 发明（设计）人： | 魏榕山;于静;李睿;钟美庆 | 申请（专利权）人： | 福州大学 |
| 主分类号： | H01L23/367 | 分类号： | H01L23/367 |
| 代理公司： | 福州元创专利商标代理有限公司35100 | 代理人： | 蔡学俊 |
| 地址： | 350002 福*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及一种采用微热电发电机的3D芯片，包括一N层结构的3D芯片，所述3D芯片的顶层与中间层之间采用N型半导体与P型半导体相连，所述N型半导体与P型半导体之间采用金属相连形成一第一热电偶，则所述3D芯片的顶层、中间层、N型半导体以及P型半导体组成一第一微热温差发电机；所述3D芯片的底层与中间层之间采用N型半导体与P型半导体相连，所述N型半导体与P型半导体之间采用金属相连形成一第二热电偶，则所述3D芯片的底层、中间层、N型半导体以及P型半导体组成一第二微热温差发电机。本实用新型利用其高的热功率密度和多维的空间结构，在现有的半导体工艺下，采用微热电发电机技术，提高芯片的整体能效，加快芯片散热。 | ||
| 搜索关键词： | 采用 热电 发电机 芯片 | ||
【主权项】：
一种采用微热电发电机的3D芯片，其特征在于：包括一N层结构的3D芯片，所述3D芯片的底层与顶层的温度最低，作为所述3D芯片的冷源，所述3D芯片的中间层温度最高，作为所述3D芯片的热源;所述3D芯片的顶层与中间层之间采用N型半导体与P型半导体相连，所述N型半导体与P型半导体之间采用金属相连形成一第一热电偶，则所述3D芯片的顶层、所述3D芯片的中间层、N型半导体以及P型半导体组成一第一微热温差发电机；所述3D芯片的底层与中间层之间采用N型半导体与P型半导体相连，所述N型半导体与P型半导体之间采用金属相连形成一第二热电偶，则所述3D芯片的底层、所述3D芯片的中间层、N型半导体以及P型半导体组成一第二微热温差发电机。
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