[实用新型]半导体产品及其制造该半导体产品的治具有效
申请号: | 201620423430.9 | 申请日: | 2016-05-11 |
公开(公告)号: | CN205723454U | 公开(公告)日: | 2016-11-23 |
发明(设计)人: | 汪虞;王政尧 | 申请(专利权)人: | 苏州日月新半导体有限公司 |
主分类号: | H01L21/60 | 分类号: | H01L21/60 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 林斯凯 |
地址: | 215026 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本实用新型是关于半导体产品及其制造该半导体产品的治具。根据本实用新型一实施例的半导体产品治具包括上表面、与所述上表面相对的下表面,及若干呈阵列排布的产品承载区。每一产品承载区具有上凹槽及下凹槽,其中上凹槽自上表面凹陷延伸且在上表面的开口经配置以与所承载的产品尺寸相适应以经配置将所承载的产品固持于上凹槽;下凹槽自上凹槽底部的一部分向下延伸并贯穿下表面。本实用新型允许在不改变传统溅镀工艺机台和材料且不增加成本的条件下,在BGA封装型半导体产品上形成电磁屏蔽层,而不影响该BGA封装型半导体产品的正常电路性能。 | ||
搜索关键词: | 半导体 产品 及其 制造 | ||
【主权项】:
一种半导体产品治具,所述半导体产品治具包括:上表面;下表面,与所述上表面相对;及若干呈阵列排布的产品承载区,所述产品承载区中的每一者具有上凹槽及下凹槽,其特征在于,所述上凹槽自所述上表面凹陷延伸,且所述上凹槽在所述上表面的开口经配置以与所承载的产品尺寸相适应以经配置将所承载的产品固持于所述上凹槽,所述下凹槽自所述上凹槽底部的一部分向下延伸并贯穿所述下表面。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造