[实用新型]高频高增益硅PNP型开关晶体管有效
| 申请号： | 201620252077.2 | 申请日： | 2016-03-29 |
| 公开（公告）号： | CN205508824U | 公开（公告）日： | 2016-08-24 |
| 发明（设计）人： | 龚利汀;陈丽兰 | 申请（专利权）人： | 无锡固电半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/732 | 分类号： | H01L29/732;H01L29/06 |
| 代理公司： | 无锡市大为专利商标事务所(普通合伙) 32104 | 代理人： | 曹祖良;朱建均 |
| 地址： | 214062 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型提供一种高频高增益硅PNP型开关晶体管，包括晶体管单元体，所述单元体包括基区扩散保护环、背面金属层、P型重掺杂衬底、P型外延层、N型基区、P型发射区、增阻环、钝化层、发射极金属和两个基极金属。本实用新型主要应用在变频调速与和节能设备，具有电流大，频率高，增益大，饱和压降低，开关速度快等特点。 | ||
| 搜索关键词： | 高频 增益 pnp 开关 晶体管 | ||
【主权项】：
高频高增益硅PNP型开关晶体管，包括晶体管单元体，所述单元体包括基区扩散保护环（10)、背面金属层（9）、P型重掺杂衬底（8）、P型外延层（7）、N型基区（6）、P型发射区（5）、增阻环（4）、钝化层（3）、发射极金属（2）和基极金属（1）两个，其特征在于：所述背面金属层（9）位于P型重掺杂衬底（8）下且邻接，所述P型外延层（7）位于P型重掺杂衬底（8）上且邻接，所述N型基区（6）位于P型外延层（7）上，所述N型基区（6）外围设有基区扩散保护环（10)，所述P型发射区（5）设于N型基区（6）内，所述增阻环（4）位于P型发射区（5）外围且设于N型基区（6）内，所述钝化层（3）覆盖在N型基区（6）上，所述发射极金属（2）覆盖在P型发射区（5）上，所述两个基区金属（1）覆盖在N型基区（6）上，且位于单元体两侧，所述基区金属（1）和发射极金属（2）之间均通过钝化层（3）隔开，所述增阻环（4）上覆盖着钝化层（3）。
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