[实用新型]一种大功率可控硅封装结构有效
| 申请号： | 201620192032.0 | 申请日： | 2016-03-14 |
| 公开（公告）号： | CN205428904U | 公开（公告）日： | 2016-08-03 |
| 发明（设计）人： | 吴家健;王成森;尹佳军 | 申请（专利权）人： | 江苏捷捷微电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/48 | 分类号： | H01L23/48 |
| 代理公司： | 南京正联知识产权代理有限公司 32243 | 代理人： | 卢海洋 |
| 地址： | 226200 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型公开了一种大功率可控硅封装结构，它包括金属散热底板和底面焊接在金属散热底板上端的陶瓷覆铜板，陶瓷覆铜板底面为大面积的覆铜层，陶瓷覆铜板顶面为被分割成阳极焊接区、阴极焊接区、门极焊接区的覆铜层，陶瓷覆铜板顶面覆铜层的上端从下至上依次焊接有可控硅芯片和阳极过桥片，陶瓷覆铜板四周还设有塑料套壳，可控硅芯片的阴极电极和门极电极共面倒装分别焊接在陶瓷覆铜板顶面被分割开的阴极焊接区和门极焊接区上。采用可控硅芯片的阴极电极和门极电极共面倒装焊接在陶瓷覆铜板顶面被分割的覆铜层上的方法，极大的提高了散热效果；同时，省去了控制极过桥装配焊接的过程，使大批量、高效率生产能更好的实现。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 大功率 可控硅 封装 结构 | ||
【主权项】：
一种大功率可控硅封装结构，它包括金属散热底板和底面焊接在金属散热底板上端的陶瓷覆铜板，所述陶瓷覆铜板底面为大面积的覆铜层，所述陶瓷覆铜板顶面为被分割成阳极焊接区、阴极焊接区、门极焊接区的覆铜层，所述陶瓷覆铜板顶面覆铜层的上端从下至上依次焊接有可控硅芯片和阳极过桥片，所述陶瓷覆铜板四周还设有塑料套壳，其特征在于：所述可控硅芯片的阴极电极和门极电极共面倒装分别焊接在陶瓷覆铜板顶面被分割开的阴极焊接区和门极焊接区上。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于江苏捷捷微电子股份有限公司，未经江苏捷捷微电子股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201620192032.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种微间距驱动芯片金凸块结构
- 下一篇：一种可防止晶片滑落的晶片花篮
